Texas Instruments TPS51116 Memory Power Solution, Synchronous Buck Controller Evaluation Module TPS51116EVM-001 TPS51116EVM-001 데이터 시트

www.ti.com

The TPS51116EVM schematic is shown in

.

Standard 100-mil spacing headers JP1 through JP4 provide user configuration settings for the
TPS51116EVM. Each jumper bank of three or six pins is provided with a single 100-mil shunt to allow the
user to select the desired operation mode.

JP1

TPS51116 VDDQ discharge scheme, tracking, non-tracking or no discharge.

Tracking

JP2

Current sensing mode used by the TPS51116.

R

DS(on)

JP3

Control scheme used by the TPS51116.

D-CAP mode

JP4

Output levels DDR, DDR2, DDR3, or externally adjustable.

DDR2

Switches SW1 and SW2 select the S5 and S3 sleep states respectively allowing the user to examine the
reaction of the TPS51116 controller to these memory sleep states

Resistor R8 and short R9 allow the user to select between lossless R

DS(on)

and conventional resistive

current sense. If resistive sensing is selected by JP2, R8 must be in place and R9 removed. If R

DS(on)

sensing is chosen by JP2, R9 must be in place, but since R9 and R8 are in parallel, R8 can be left on the
PCB.

The values of the MOSFETs Q1 and Q2 used on the TPS51116EVM are selected to optimize operation of
the switching regulator over the 3-V to 28-V operating range for notebook power systems.

In applications with a regulated supply voltage available, it is possible to optimize the MOSFETs used to
reduce losses and improve efficiency. For systems running from a fixed 12-V supply, the low duty cycle of
the high-side MOSFET favors a higher R

DS(on)

for lower gate charge and faster switching times. For a

regulated 12-V supply voltage, TI recommends Vishay SI4390 for Q1 and SI4378 for Q2 or equivalent
MOSFETs.

For applications using a single 5-V supply rail for both the switching regulator and the TPS51116’s VDD
voltage, the high-side MOSFET duty cycles are higher, and thus favor a lower R

DS(on)

and somewhat

higher gate charge. If a single 5-V supply voltage is used, TI recommends the Vishey SI4378 for both Q1
and Q2.

The use of these MOSFET pairs improves the high-load efficiency of the switching regulator by reducing
MOSFET losses, however they may adversely effect lighter load efficiencies with increased switching and
gate charge losses. Other MOSFET pairs are possible and even greater performance improvements can
be realized by using PowerPak, LFPack or DirectFET MOSFETs at the increased cost of these
customized power MOSFET packages. As each application's power needs are unique, each design may
require the evaluation of several MOSFET pairs to determine the best MOSFET selection.

4

SLUU202A – SEPTEMBER 2004 – Revised November 2008