Texas Instruments TAS5614LA and TAS5612LA Evaluation Module TAS5614LADDVEVM TAS5614LADDVEVM 데이터 시트

SLAS846 – MAY 2012

over operating free-air temperature range unless otherwise noted

(1)

VDD to GND, GVDD_X

(2)

to GND

–0.3 to 13.2

V

PVDD_X

(2)

to GND

(3)

, OUT_X to GND

(3)

, BST_X to GVDD_X

(2) (3)

–0.3 to 50

V

BST_X to GND

(3) (4)

–0.3 to 62.5

V

DVDD to GND

–0.3 to 4.2

V

AVDD to GND

–0.3 to 8.5

V

OC_ADJ, M1, M2, M3, C_START, INPUT_X to GND

–0.3 to 4.2

V

RESET, FAULT, OTW, CLIP, to GND

–0.3 to 4.2

V

Maximum continuous sink current (FAULT, OTW, CLIP)

9

mA

Maximum operating junction temperature range, T

J

0 to 150

°C

Storage temperature, T

stg

–40 to 150

°C

Lead temperature

260

°C

Human body model

(4)

(all pins)

±2

kV

Electrostatic discharge

Charged device model

(4)

(all pins)

±500

V

(1)

Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings
only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under Recommended Operating
Conditions is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.

(2)

GVDD_X and PVDD_X represents a full bridge gate drive or power supply. GVDD_X is GVDD_AB or GVDD_CD, PVDD_X is
PVDD_AB or PVDD_CD

(3)

These voltages represents the DC voltage + peak AC waveform measured at the terminal of the device in all conditions.

(4)

Maximum BST_X to GND voltage is the sum of maximum PVDD to GND and GVDD to GND voltages minus a diode drop.

θ

JH

Junction-to-heat sink thermal resistance

(2)

2.3

θ

JCtop

Junction-to-case (top) thermal resistance

0.8

θ

JB

Junction-to-board thermal resistance

2.1

°C/W

ψ

JT

Junction-to-top characterization parameter

0.8

ψ

JB

Junction-to-board characterization parameter

2.1

θ

JCbot

Junction-to-case (bottom) thermal resistance

n/a

(1)

For more information about traditional and new thermal metrics, see the IC Package Thermal Metrics application report,

(2)

Thermal data are obtained with 85°C heat sink temperature using thermal compound with 0.7W/mK thermal conductivity and 2mil
thickness.

PVDD_X

Full-bridge supply

DC supply voltage

12

36

38

V

Supply for logic regulators and gate-drive

GVDD_X

DC supply voltage

10.8

12

13.2

V

circuitry

VDD

Digital regulator supply voltage

DC supply voltage

10.8

12

13.2

V

BTL

3.0

4.0

Output filter: L = 10 µH, 1 µF.

R

L

Load impedance

SE

Output AD modulation,

1.5

3.0

Ω

switching frequency > 350 kHz.

PBTL

1.5

2.0

Minimum inductance at overcurrent limit,

L

OUTPUT

Output filter inductance

including inductor tolerance, temperature

5

μ

H

and possible inductor saturation

F

PWM

PWM frame rate

352

384

500

kHz

C

PVDD

PVDD close decoupling capacitors

0.44

1

μ

F

BTL and PBTL configuration

100

nF

C_START

Startup ramp capacitor

SE and 1xBTL+2xSE configuration

1

μ

F

4

Copyright © 2012, Texas Instruments Incorporated

Product Folder Link(s):