Texas Instruments IC MCU 16B MSP430F2370TRHAT VQFN-40 TID MSP430F2370TRHAT 데이터 시트

SLAS518E

–

AUGUST 2006

–

REVISED AUGUST 2011

over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature (unless otherwise noted)

V

CC (PGM/ERASE)

Program and erase supply voltage

2.2

3.6

V

f

FTG

Flash timing generator frequency

257

476

kHz

I

PGM

Supply current from V

CC

during program

2.2 V/3.6 V

1

5

mA

I

ERASE

Supply current from V

CC

during erase

2.2 V/3.6 V

1

7

mA

t

CPT

Cumulative program time

(1)

2.2 V/3.6 V

10

ms

t

CMErase

Cumulative mass erase time

2.2 V/3.6 V

20

ms

Program/erase endurance

10

4

10

5

cycles

t

Retention

Data retention duration

T

J

= 25

°

C

100

years

t

Word

Word or byte program time

See

(2)

30

t

FTG

t

Block, 0

Block program time for first byte or word

See

(2)

25

t

FTG

Block program time for each additional

t

Block, 1-63

See

(2)

18

t

FTG

byte or word

t

Block, End

Block program end-sequence wait time

See

(2)

6

t

FTG

t

Mass Erase

Mass erase time

See

(2)

10593

t

FTG

t

Seg Erase

Segment erase time

See

(2)

4819

t

FTG

(1)

The cumulative program time must not be exceeded when writing to a 64-byte flash block. This parameter applies to all programming
methods: individual word/byte write and block write modes.

(2)

These values are hardwired into the flash controller

'

s state machine (t

FTG

= 1/f

FTG

).

over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature (unless otherwise noted)

V

(RAMh)

RAM retention supply voltage

(1)

CPU halted

1.6

V

(1)

This parameter defines the minimum supply voltage V

CC

when the data in RAM remains unchanged. No program execution should

happen during this supply voltage condition.

over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature (unless otherwise noted)

2.2 V

0

5

MHz

f

TCK

TCK input frequency

(1)

3 V

0

10

MHz

R

Internal

Internal pulldown resistance on TEST

(2)

2.2 V/3 V

25

35

55

k

Ω

(1)

f

TCK

may be restricted to meet the timing requirements of the module selected.

(2)

TMS, TDI/TCLK, and TCK pullup resistors are implemented in all versions.

over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature (unless otherwise noted)

V

CC(FB)

Supply voltage during fuse-blow condition

T

A

= 25

°

C

2.5

V

V

FB

Voltage level on TEST for fuse blow

6

7

V

I

FB

Supply current into TEST during fuse blow

100

mA

t

FB

Time to blow fuse

1

ms

(1)

After the fuse is blown, no further access to the JTAG/Test and emulation features is possible, and the JTAG block is switched to
bypass mode.

Copyright

©

2006

–

2011, Texas Instruments Incorporated

43