Linear Technology LTC4361-1/LTC4361-2 Overvoltage/Overcurrent Protection Controller with Latchoff/Auto-Retry DC1506A DC1506A 데이터 시트

제품 코드
DC1506A
다운로드
페이지 16
LTC4361-1/LTC4361-2
5
436112fb
pin FuncTions
Exposed Pad (DFN): Ground. Connection to PCB is optional.
GATE:  Gate  Drive  for  External  N-Channel  MOSFET.  An 
internal charge pump provides a 10µA pull-up current to 
charge the gate of the external N-channel MOSFET. An 
additional ramp circuit limits the GATE ramp rate when 
turning on to 3V/ms. For slower ramp rates, connect an 
external capacitor from GATE to GND. An internal clamp 
limits GATE to 6V above the OUT pin voltage. An internal 
GATE high comparator controls the PWRGD pin.
GATEP: Gate Drive for External P-Channel MOSFET. GATEP 
connects to the gate of an optional external P-channel MOS-
FET to protect against negative voltages at IN. This pin is 
internally clamped to 5.8V below V
IN
. An internal 2M resis-
tor connects this pin to ground. Connect to IN if not used.
GND: Device Ground.
IN: Supply Voltage Input. Connect this pin to the input 
power supply. This pin has an overvoltage threshold of 
5.8V. After an overvoltage event, this pin must fall below 
V
IN(OV)
 – 
∆V
OV
 to release the overvoltage lockout. Dur-
ing lockout, GATE is held low and the PWRGD pull-down 
releases.
ON: On Control Input. A logic low at ON enables the LTC4361. 
A logic high at ON activates a low current pull-down at the 
GATE pin and causes the LTC4361 to enter a low current 
sleep mode. An internal 5µA current pulls ON down to 
ground. Connect to ground or leave open if unused.
OUT: Output Voltage Sense Input for GATE Clamp. Connect 
to the source of the external N-channel MOSFET to sense 
the output voltage for GATE to OUT clamp.
PWRGD:  Power  Good  Status.  Open-drain  output  with 
internal 500k resistive pull-up to OUT. Pulls low 65ms 
after GATE ramps above V
GATE(TH)
.
SENSE: Current Sense Input. Connect a sense resistor 
between IN and SENSE. An overcurrent protection circuit 
turns off the N-channel MOSFET when the voltage across 
the sense resistor exceeds 50mV for more than 10µs.