Fairchild Semiconductor N/A BCV26 데이터 시트

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BCV26
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페이지 7
3
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
TEMPERATURE  (  C)
P   
- POW
E
R
 DI
SSI
P
A
TI
ON (
m
W
)
D
o
SOT-23
Typical Characteristics  
(continued)
Input and Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
0.1
1
10
100
0
4
8
12
16
REVERSE VOLTAGE  (V)
CA
P
A
CI
T
A
N
C
E (
p
F)
C
f = 1.0 MHz
ib
C
ob
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I   - COLLECTOR CURRENT  (A)
V
    
    -
 B
A
S
E
 E
M
IT
T
E
R
 V
O
L
T
A
G
E
 (
V
)
C
BE
S
A
T
25 °C
- 40  °C
125 °C
β
= 1000
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I   - COLLECTOR CURRENT  (A)
V
  
      
 -
 B
A
S
E
 E
M
IT
T
E
R
 O
N
 V
O
L
T
A
G
E
 (
V
)
C
BE
(
O
N)
V     = 5V
CE 
25  °C
- 40  °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T  - AMBIE NT TEMP ERATURE (  C)
   
  -
 C
O
L
LE
C
T
O
R
 C
U
R
R
E
N
T
 (
n
A
)
A
CBO
°
V    = 15V
CB
BCV26
PNP Darlington Transistor
(continued)