Philips S1D13505 Manual Do Utilizador

Página de 556
Epson Research and Development
Page 29
Vancouver Design Center
Hardware Functional Specification
S1D13505
Issue Date: 01/02/02 
X23A-A-001-14
5.2.2   Memory Interface
Table 5-2: Memory Interface Pin Descriptions 
Pin Name
Type
Pin #
Cell
RESET# 
State
Description
LCAS#
O
51
CO1
1
• For dual-CAS# DRAM, this is the column address strobe for the 
lower byte (LCAS#).
• For single-CAS# DRAM, this is the column address strobe (CAS#).
See “Memory Interface Pin Mapping” for summary. See Memory 
Interface Timing
 for detailed functionality.
UCAS#
O
52
CO1
1
This is a multi-purpose pin:
• For dual-CAS# DRAM, this is the column address strobe for the 
upper byte (UCAS#).
• For single-CAS# DRAM, this is the write enable signal for the upper 
byte (UWE#).
See “Memory Interface Pin Mapping” for summary. See Memory 
Interface Timing
 for detailed functionality.
WE#
O
53
CO1
1
• For dual-CAS# DRAM, this is the write enable signal (WE#).
• For single-CAS# DRAM, this is the write enable signal for the lower 
byte (LWE#).
See “Memory Interface Pin Mapping” for summary. See Memory 
Interface Timing
 for detailed functionality.
RAS#
O
54
CO1
1
Row address strobe - see Memory Interface Timing for detailed 
functionality.
MD[15:0]
IO
34, 36, 38, 
40, 42, 44, 
46, 48, 49, 
47, 45, 43, 
41, 39, 37, 
35
C/TS
1D
Hi-Z
Bi-Directional memory data bus. 
During reset, these pins are inputs and their states at the rising edge of 
RESET# are used to configure the chip - see Summary of 
Configuration Options
. Internal pull-down resistors (typical values of 
100K
Ω/180ΚΩ 
at 5V/3.3V respectively) pull the reset states to 0. 
External pull-up resistors can be used to pull the reset states to 1. 
See Memory Interface Timing for detailed functionality.