Nvidia 780I SLI Manual Do Utilizador

Página de 120
 
 
Using NVIDIA Software 
 
NVIDIA Corporation
   
 
October 17, 2007  |  DU-03597-001_v01 
75
 
Write Recovery Time 
Memory timing that determines the delay between a write command and a 
Precharge command is set to the same bank of memory. Adjustable from 1 to 
15. 
W to R Termination Turnaround 
The Write-to-Read time is the number of clock cycles between the last write 
data pair and the subsequent READ command to the same physical block. 
Adjustable from 1 to 15. 
RAS to CAS access 
The RAS-to-CAS access (tRCD) is the amount of time in cycles for issuing an 
active command and the read/write commands. Adjustable from 1 to 15. 
RAS to RAS Delay 
The RAS-to-RAS delay (tRRD) is the is the amount of cycles it takes to 
activate the next bank of memory (this is the opposite of tRAS). The lower 
the timing the better the system performance. However, this scenario can 
cause instability. Adjustable from 1 to 15. 
Refresh Rate 
This value is filled in by the system and can not be changed by the user. 
Memory bank switch 
The row Precharge time (tRP) is the minimum time between active 
commands and the read/writes of the next bank on the memory module. 
Adjustable from 1 to 15. 
R to W Turnaround 
The Read-to-Write turnaround (tRWT) is a the amount of cycles for the 
command to be executed when a Write command is received. Adjustable 
from 1 to 15. 
R to R Timing 
the Read-to-Read time (tRDRD) is the number of clock cycles between the 
last read and the subsequent READ command to the same physical bank. 
Adjustable from 1 to 15. 
Row Cycle Time 
The Row Cycle Time is the minimum time in cycles it take a row to complete 
a full cycle. This can be determined by tRC=tRAS+tRP. If this value is set 
too short, it can cause corruption of data. If this value is set too high, it causes 
a loss in performance but an increase in stability. Adjustable from 1 to 63 
cycles