Intel Z520PT CH80566EE014DT Ficha De Dados

Datasheet   

 

69 

THERMDA 

T5 

Thermal diode anode 

THERMDC 

U4 

Thermal diode cathode 

IFW 

Forward Bias Current 

5 

— 

200 

µ

A 

1 

IE 

Emitter Current 

5 

— 

200 

µ

A 

1 

nQ 

Transistor Ideality 

0.997  1.001  1.015 

 

2, 3, 4 

Beta 

 

0.25 

— 

0.65 

 

2, 3 

R

T

 

Series Resistance 

2.79 

4.52 

6.24 

Ω 

2, 5 

NOTES:  

1. 

Intel does not support or recommend operation of the thermal diode under reverse 

bias.  

2. 

Characterized across a temperature range of 50–100 °C. 

3. 

Not 100% tested. Specified by design characterization. 

4. 

The ideality factor, nQ, represents the deviation from ideal transistor model behavior 

as exemplified by the equation for the collector current: 

 

 

 

 

I

 = I

 * (e 

 –1) 

Where I

S

 = saturation current, q = electronic charge, V

BE

 = voltage across the 

transistor base emitter junction (same nodes as VD), k = Boltzmann Constant, and  

T = absolute temperature (Kelvin).

 

5.  The series resistance, R

T

, provided in the Diode Model Table (Table 19) can be used for 

more accurate readings as needed.  

When calculating a temperature based on the thermal diode measurements, a number 

of parameters must be either measured or assumed. Most devices measure the diode 

ideality and assume a series resistance and ideality trim value, although are capable 

of also measuring the series resistance. Calculating the temperature is then 

accomplished using the equation listed under Table 19. In most sensing devices, an 

expected value for the diode ideality is designed-in to the temperature calculation 

equation. If the designer of the temperature sensing device assumes a perfect diode, 

the ideality value (also called n

trim

) will be 1.000. Given that most diodes are not 

perfect, the designers usually select an n

trim

 value that more closely matches the 

behavior of the diodes in the processor. If the processor diode ideality deviates from 

that of the n

trim

, each calculated temperature will be offset by a fixed amount. This 

temperature offset can be calculated with the equation: 

T

error(nf)

 = Tmeasured * (1 – n

actual

/n

trim

) 

Where T

error(nf)

 is the offset in degrees C, T

measured

 is in Kelvin, n

actual

 is the measured 

ideality of the diode, and n

trim

 is the diode ideality assumed by the temperature 

sensing device.