Franzis Verlag Course material 65196 14 years and over 65196 Manual Do Utilizador

Códigos do produto
65196
Página de 36
 
57
 
 Simula
č
ní program tranzistoru NPN 
 
Ve skute
č
nosti p
ř
es všechnu preciznost výroby nelze zesilovací 
č
initel tranzistoru p
ř
esn
ě
 naplánovat.  
Tranzistor obsažený v této stavebnici pat
ř
í do skupiny B a máí tedy minimální zesílení 200. 
 
P
ř
i  navrhování  obvod
ů
  s tranzistory  musíte  vždy  dát  pozor  na  zesilovací 
č
initel  použitého  tranzistoru, 
abyste  zajistili  jeho  spolehlivou  funkci  v širokém  rozsahu.  V zapojeních  (  viz  výše  a  níže)  p
ř
edstavuje 
tranzistor  spína
č
.  Zde  posta
č
í  zvolit  takový  p
ř
ed
ř
adný  odpor  báze  tranzistoru,  aby  touto  bází  protékal 
pon
ě
kud vyšší proud.   
 
Prove
ď
te  nyní  prohození  emitoru  a  kolektoru  tranzistoru.  Nyní  bude  tranzistorem  protékat  podstatn
ě
 
nižší proud jeho kolektorem. Že bude i v tomto obráceném zapojení tranzistor pracovat, spo
č
ívá v jeho 
konstrukci ze t
ř
í vrstev N, P a N – viz popis v odstavci 8.6 Elektronická jednosm
ě
rná cesta (hradlové 
vrstvy tranztistoru)“. Tlouš
ť
ky t
ě
chto vrstev se ve skute
č
nosti liší, takže není zcela jedno, kterou vrstvu 
(kontakt N), p
ř
ipojíte k minus (–) pólu. 
 
Obrácen
ě
 zapojený tranzistor NPN 
 
 
V praxi  bývá  zesílení  obrácen
ě
  zapojeného  tranzistoru  p
ě
ti-  až  dvacetinásobné. 
Č
ervená  svítivá  dioda 
bude  v tomto  p
ř
ípad
ě
  svítit  pouze velmi slab
ě
. Zapojte p
ř
ed katodu zelené LED místo odporu 100 k
Ω
 
odpor  10  k
Ω
.  V tomto  p
ř
ípad
ě
  za
č
ne  kolektorem  tranzistoru  protékat  vyšší  proud,  což  poznáte  podle 
zvýšeného  jasu 
č
ervené  LED. 
Č
ervená  LED  bude  svítit  jasn
ě
ji  než  zelená  LED.  Toto  výše  popsané 
zapojení tranzistoru nepat
ř
í k obvyklému použití tranzistoru, jedná se v normálním p
ř
ípad
ě
 o nesprávné 
zapojení  tranzistoru.  Pokud  nebude  zapojení  s  tranzistorem  fungovat  podle  o
č
ekávání,  pak  jste 
pravd
ě
podobn
ě
 provedli prohození p
ř
ipojení emitoru a kolektoru  tranzistoru.  
 
58
8.6  Elektronická jednosm
ě
rná cesta (hradlové vrstvy tranzistoru) 
Vnit
ř
ní  konstrukci  k
ř
emíkového  tranzistoru  tvo
ř
í  t
ř
i  vrstvy  z r
ů
zn
ě
  infundovaného  k
ř
emíku.  Na  rozhraní 
t
ě
chto vrstev se nacházejí hradlové vrstvy podobn
ě
 jako u k
ř
emíkové nebo u svítivé diody, které vedou 
proud pouze jedním sm
ě
rem. Jeden tranzistor je prakticky tvo
ř
en dv
ě
ma diodami, které m
ů
žete použít 
jako takové (jako normální diody).  
Toto  umož
ň
uje  použít  tranzistory  ve  zvláštních  variantách  zapojení  a  provedení  otestování tranzistor
ů
Lze velice snadno zjistit, o jaký typ tranzistoru se jedná, zda o tranzistor NPN nebo PNP.    
 
 
 
 Zobrazení hradlových vrstev a náhradní schéma tranzistor
ů
 
 
O  jaký  typ  tranzistoru  se  jedná  (NPN  nebo  PNP),  zjistíte  snadno,  postavíte-li  si  zkouše
č
ku  s jednou 
svítivou diodou a s p
ř
ed
ř
adným odporem (viz obr. 4.8 a 4.9). Ke kontakt
ů
m testovaného tranzistoru sta
č
í 
v tomto  p
ř
ípad
ě
  p
ř
ipojit  dva  vodi
č
e  (zkušební  kabely).  Bude-li  tranzistorem  protékat  proud,  pak  se 
rozsvítí  LED.  Tím  jednoduchým  zp
ů
sobem  prozkoumáte  všechny  interní  hradlové  vrstvy  tranzistoru 
(jejich orientaci) a sm
ě
r toku proudu. 
Vyzkoušejte  si nejprve touto zkouše
č
kou  y tranzistor „BC547“ (NPN) Po získání ur
č
ité praxe Vám tato 
zkouše
č
ka umožní zjistit typ neznámého tranzistoru. Krom
ě
 toho zjistíte touto zkouše
č
kou též kontakt, 
který  p
ř
edstavuje  bázi  tranzistoru.  Touto  zkouše
č
kou  nelze  rozlišit  emitor  od  kolektoru  tranzistoru, 
protože  jsou  tranzistory  zkonstruovány  symetricky.  K tomuto  ú
č
elu  použijte  jednoduché  zapojení 
tranzistoru se spole
č
ným emitorem ).        
 
 
 
Zapojení zkouše
č
ky tranzistor
ů