Справочник Пользователя для Selex Sistemi Integrati Inc. VOR2

Скачать
Страница из 254
Model 1150A DVOR 
 
2-20 
Rev. -  November, 2008 
 
This document contains proprietary information and such information may not be disclosed 
to others for any purposes without written permission from SELEX Sistemi Integrati Inc. 
Figure 2-9 Carrier Amplifier Assembly Block Diagram 
 
2.3.2.4.2 Power Amplifier Assembly Detailed Circuit Theory
Refer  to 
Figure  11-19
  An  input  CW  RF  signal  is  generated  from  the  VOR  synthesizer  module  with  a  minimum 
output power level of 100mW.  The RF is sent through a cable to the carrier amplifier assembly.  Once the RF enters 
the amplifier, it is attenuated through a 3 dB attenuator before entering the driver stage of the amplifier.  The 3 dB 
attenuator  serves  to  provide  a  resistive  load  for  the  synthesizer  module.    The  RF  is  modulated  with  the  Q6  driver 
stage.    The  driver  is  an  LDMOS  type  RF  FET  with  high  gain  and  good  linearity.    Q6  is  modulated  using  a  gate 
modulation technique.   The gate of Q6 is voltage-varied, which modulates the RF signal.  This is accomplished by 
using a feedback circuit that samples the output of the amplifier using C80, C81, and R42.  The feedback signal is 
attenuated through R69, R70, and R71.  This signal is routed to the detector, U21 where the audio is detected and 
buffered through U22:D.  The input to the detector circuit is a 14 dB attenuator, R69, R70, and R71 followed by a 
coupling  capacitor  C116  into  U21.    U21  is  a  high  linearity,  true  power,  single  chip  detector.
 
U12:A  is  an  error 
amplifier used to compare the input reference signal to correct for non-linearity in the RF amplifier.  From the driver 
stage, the RF signal is attenuated using AT1 to help balance any slight impedance differences between the driver and 
final RF stages.  Attenuator AT1 also helps with a wider bandwidth.  The signal is then routed to the final amplifier 
stage, Q7.  The Q7 amplifier is another LDMOS type RF FET with high gain and good linearity.  The Q6 amplifier 
is biased at approximately 850mA.  The biasing of the stage is set with potentiometer R36, U13, R35, and CR5 to 
adjust  the  quiescent  (no  RF  applied)  current  level  to  produce  a  voltage  drop  of  17mV  across  test  points  TP7  and 
TP8.  Diode CR5 provides thermal compensation for Q6.  The minimum gain from the final amp stage is +20 dB.
 
A small  RF  sample  is  coupled  from  the  output  of  the  final  amplifier  stage  through  C67.    The  sample  is  low  pass 
filtered and sent to the front panel of the module for a test equipment test point.  The front panel sample is intended 
to replicate the high power output filter of the amplifier. 
 
The RF output of the final amplifier stage is then capacitive coupled through C66 to the output filter.  The output 
filter  C69,  L24,  C71,  L26,  C72,  C74,  L28,  C76,  C78,  and  L29  is  a  low  pass  filter  designed  to  remove  harmonics 
from the carrier RF signal.   
 
A small RF sample is coupled from the output of the low pass filter through C84.  The small sample is the carrier 
feedback to the RF synthesizer via J3. 
 
Another RF sample is coupled from the output of the low pass filter through C80.  The sample is sent to the detector 
circuit for detection of forward transmitted power.