Справочник Пользователя для Dataram DTM67209A

Скачать
Страница из 13
DTM67209A 
 
1GB –  200-Pin 1Rx8 Unbuffered Non-ECC DDR2 SO-DIMM 
 
Document 06547, Revision A, 1-JUN-09, Dataram Corporation 
© 2009 
Page 1 
 
 
Features  
Description 
200-pin JEDEC SO-DIMM Dual-sided assembly 67.600mm 
[2.661”] wide by 30.0mm [1.181”] high 
 
Operating Voltage: 1.8 V ±0.1 
 
I/O Type: SSTL_18 
 
Data Transfer Rate: 4.2 Gigabytes/sec 
 
Bursts Length:  4 and 8. 
 
Programmable I/O driver strength (OCD) 
 
Programmable On-Die Termination (ODT) 
 
Differential/Redundant Data Strobe signals 
 
SDRAM Addressing (Row/Col/Bank): 14/10/3 
 
One Physical Rank 
 
Fully RoHS Compliant 
 
The Dataram DTM67209A assembly is a 
128Mx64bit Unbuffered Non-ECC memory module, 
which conforms to JEDEC's DDR2, PC2-4200 stan-
dard. The DTM67209A assembly consists of one 
rank comprised of eight 128Mx8 Hynix DDR2 
SDRAMs in a 60 Ball FBGA package.  
A 2Kbit EEPROM for serial presence detect pro-
vides critical timing and configuration information 
used by the system to identify and configure the 
memory. 
The assembly is a Small Outline Dual In-line Mem-
ory Module intended for mounting into 200-pin edge 
connector sockets. 
 
 
Pin Configurations 
 
Pin Names 
Front side 
Back side 
 
Pin name 
Function 
1  V
REF
 
51  DQS2 
101 A1 
151 DQ42 
V
SS
 52 
DM2 102 A0  152 DQ46  /RAS 
Row address strobe 
3  V
SS
 
53  V
SS
 
103 V
DD
 153 
DQ43 
DQ4 54 
V
SS
 104 V
DD
 154 DQ47  /CAS 
Column address strobe 
5  DQ0 
55  DQ18 
105 A10/AP  155 V
SS
 6 
DQ5 56 
DQ22 
106 BA1 156 V
SS
 
/WE Write 
enable 
7  DQ1 
57  DQ19 
107 BA0 
157 DQ48 
V
SS
 58 
DQ23 
108 /RAS 
158 DQ52  /S[1:0] 
Chip select input 
9  V
SS
 
59  V
SS
 
109 /WE 
159 DQ49 
10  DM0 
60  V
SS
 110 /S0 160 DQ53  CK[1:0], /CK[1:0] 
Differential Clock inputs 
11  /DQS0  61  DQ24 
111 V
DD
 161 
V
SS
 12 
V
SS
 62 
DQ28 
112 V
DD
 162 V
SS
 
CKE[1:0] 
Clock enable input 
13  DQS0 
63  DQ25 
113 /CAS 
163 NC 
14  DQ6 
64  DQ29 
114 ODT 
164 CK1 
BA[2:0] 
Bank select input 
15  V
SS
 
65  V
SS
 
115 /S1* 
165 V
SS
 
16 DQ7 
66 V
SS
 116 A13 166 /CK1  A[13:0] 
Address input (Multiplexed) 
17  DQ2 
67  DM3 
117 V
DD
 167 
/DQS6 
18 
V
SS
 68 
DQS3 
118 V
DD
 168 V
SS
 
ODT[1:0] On 
Die 
Termination 
19  DQ3 
69  NC 
119 ODT1*  169 DQS6 
20  DQ12 
70  DQS3 
120 NC 
170 DM6 
DQS[7:0], /DQS[7:0] 
Data strobes 
21 V
SS
 71 
V
SS
 121 
V
SS
 171 
V
SS
 
22 DQ13  72 V
SS
 122 V
SS
 172 V
SS
 DM[7:0] 
Data 
masks 
23 
DQ8  73 
DQ26 123 
DQ32 173 
DQ50 24 
V
SS
 
74  DQ30 
124 DQ36 
174 DQ54 
DQ[63:0] 
Data I/Os: Data bus 
25  DQ9 
75  DQ27 
125 
DQ33 175 
DQ51 26 
DM1  76 
DQ31 126 DQ37 176 DQ55 
SCL Serial 
clock 
27  V
SS
 
77  VSS 
127 V
SS
 177 
V
SS
 28 
V
SS
 78 
V
SS
 128 V
SS
 178 V
SS
 
SDA 
Serial data I/O 
29 /DQS1  79 CKE0  129 /DQS4  179 DQ56  30 CK0 
80 CKE1*  130 DM4 
180 DQ60 
SA[1:0] 
Address 
EEPROM 
31 DQS1 
81  V
DD
 
131 DQS4 
181 DQ57 
32  /CK0 
82  V
DD
 132 V
SS
 182 DQ61  /Event 
Temperature 
sensing 
33 V
SS
 83 
NC  133 
V
SS
 183 
V
SS
 34 
V
SS
 84 
C 134 DQ38 
184 V
SS
 VREF 
Reference 
voltage. 
35  DQ10 
85  NC 
135  DQ34 
185  DM7 
36  DQ14 
86  N C 
136 DQ39 
186 /DQS7 
VDD 
Power supply: 1.8V +/- 0.1V 
37 DQ11 
87  V
DD
 
137 DQ35 
187 V
SS
 
38 DQ15  88 V
DD
 138 V
SS
 188 DQS7  VSS 
Ground 
39 V
SS
 89 
A12 139 
V
SS
 189 
DQ58 
40 
V
SS
 90 
A11 140 DQ44 
190 V
SS
 
VDDSPD 
Serial EEPROM power supply 
41 V
SS
 
91  A9 
141 DQ40 
191 DQ59 
42  V
SS
 92 
A7  142 DQ45 
192 DQ62  NC 
No 
connects 
43 
DQ16 93 
A8 
143 
DQ41 193 
V
SS
 
44 DQ20  94 A6 
144 V
SS
 194 DQ63   
 
45 DQ17 
95  V
DD
 145 
V
SS
 
195 SDA 
46 DQ21  96 V
DD
 146 /DQS5 
196 V
SS
 
 
 
47 V
SS
 
97  A5 
147 DM5 
197 SCL 
48  V
SS
 98 
A4  148 DQS5 
198 SA0 
 
 
49 /DQS2  99  A3 
149 V
SS
 199 
V
DD
SPD 50  /Event*  100 A2 
150 V
SS
 200 SA1 
 
 
 
* = not used on the DTM67209A 
 
 
 
 
 
 
Identification 
DTM67209A 128Mx64 
Performance range 
Clock/ Module Speed/ CL-t
RCD
 -t
RP
 
266 MHz / DDR2-533 / 5-4-4 
266 MHz / DDR2-533 / 4-4-4 
200 MHz / DDR2-400 / 3-3-3