Техническая Спецификация для Microchip Technology TMPSNS-RTD1

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MCP6S21/2/6/8
DS21117B-page 4
 2003-2012 Microchip Technology Inc.
DIGITAL CHARACTERISTICS
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, T
A
= +25°C, V
DD
= +2.5V to +5.5V, V
SS
= GND, V
REF
 = V
SS
, G = +1 V/V, 
Input = CH0 = (0.3V)/G, CH1 to CH7 = 0.3V, R
L
= 10 k
to V
DD
/2, C
L
 = 60 pF, SI and SCK are tied low, and CS is tied high.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
SPI Inputs (CS, SI, SCK)
Logic Threshold, Low
V
IL
0
0.3V
DD
V
Input Leakage Current
I
IL
-1.0
+1.0
µA
Logic Threshold, High
V
IH
0.7V
DD
V
DD
V
Amplifier Output Leakage Current
-1.0
+1.0
µA
In Shutdown mode
SPI Output (SO, for MCP6S26 and MCP6S28)
Logic Threshold, Low
V
OL
V
SS
V
SS
+0.4
V
I
OL
 = 2.1 mA, V
DD
 = 5V
Logic Threshold, High
V
OH
V
DD
-0.5
V
DD
V
I
OH
 = -400 µA
SPI Timing
Pin Capacitance
C
PIN
10
pF
All digital I/O pins
Input Rise/Fall Times (CS, SI, SCK)
t
RFI
2
µs
Output Rise/Fall Times (SO)
t
RFO
5
ns
MCP6S26 and MCP6S28
CS high time
t
CSH
40
ns
SCK edge to CS fall setup time
t
CS0
10
ns
SCK edge when CS is high
CS fall to first SCK edge setup time
t
CSSC
40
ns
SCK Frequency
f
SCK
10
MHz
V
DD
 = 5V (Note 2)
SCK high time
t
HI
40
ns
SCK low time
t
LO
40
ns
SCK last edge to CS rise setup time
t
SCCS
30
ns
CS rise to SCK edge setup time
t
CS1
100
ns
SCK edge when CS is high
SI set-up time
t
SU
40
ns
SI hold time
t
HD
10
ns
SCK to SO valid propagation delay
t
DO
80
ns
MCP6S26 and MCP6S28
CS rise to SO forced to zero
t
SOZ
80
ns
MCP6S26 and MCP6S28
Channel and Gain Select Timing
Channel Select Time
t
CH
1.5
µs
CHx = 0.6V, CHy =0.3V, G = 1,
CHx to CHy select
CS = 0.7V
DD
 to V
OUT
 90% point
Gain Select Time
t
G
1
µs
CHx = 0.3V, G = 5 to G = 1 select,
CS = 0.7V
DD
 to V
OUT
 90% point
Shutdown Mode Timing
Out of Shutdown mode (CS goes 
high) to Amplifier Output Turn-on 
Time
t
ON
3.5
10
µs
CS = 0.7V
DD
 to V
OUT
 90% point
Into Shutdown mode (CS goes high) 
to Amplifier Output High-Z Turn-off 
Time
t
OFF
1.5
µs
CS = 0.7V
DD
 to V
OUT
 90% point
POR Timing
Power-On Reset power-up time
t
RPU
30
µs
V
DD
 = V
POR 
- 0.1V to V
POR
 + 0.1V, 
50% V
DD
 to 90% V
OUT
 point
Power-On Reset power-down time
t
RPD
10
µs
V
DD
 = V
POR 
+ 0.1V to V
POR 
- 0.1V, 
50% V
DD
 to 90% V
OUT
 point
Note
1: Not tested in production. Set by design and characterization.
2: When using the device in the daisy chain configuration, maximum clock frequency is determined by a combination of 
propagation delay time (t
DO
 
 80 ns), data input setup time (t
SU
 
 40 ns), SCK high time (t
HI
 
 40 ns), and SCK rise and 
fall times of 5 ns. Maximum f
SCK
 is, therefore, 
 5.8 MHz.