Техническая Спецификация для Analog Devices AD5560 Evaluation Board EVAL-AD5560EBUZ EVAL-AD5560EBUZ

 

Rev. D | Page 15 of 68 

AV

DD

 to AV

SS

 

34 V 

AV

DD

 to AGND 

−0.3 V to +34 V 

AV

SS

 to AGND 

−34 V to +0.3 V 

HCAV

DD

x to HCAV

SS

x 

34 V 

HCAV

DD

x to AGND 

−0.3 V to +34 V 

HCAV

SS

x to AGND 

−34 V to +0.3 V 

HCAV

DD

x to AV

SS

 

−0.3 V to AV

SS

 + 34 V 

HCAV

DD

x to AV

DD

 

−0.3 V to AV

DD

 + 0.3 V 

HCAV

SS

x to AV

SS

 

+0.3 V to AV

SS

 − 0.3 V  

DV

CC

 to DGND  

−0.3 V to +7 V 

AGND to DGND 

−0.3 V to +0.3 V 

REFGND to AGND 

−0.3 V to +0.3 V 

Digital Inputs to DGND 

−0.3 V to DV

CC

 + 0.3 V  

Analog Inputs to AGND 

AV

SS

 − 0.3 V to AV

DD

 + 0.3 V 

EXTFORCE1 and EXTFORCE2 to AGND

AV

DD

 − 28 V 

Storage Temperature 

−65°C to +125°C 

Operating Junction Temperature  

25°C to 90°C 

Reflow Profile  

J-STD 20 (JEDEC) 

Junction Temperature 

150°C max 

Power Dissipation 

10 W max (EXTFORCE1 stage) 

 

5 W max (EXTFORCE2 stage) 

ESD 

 

HBM 

1500 V 

FICDM 

500 V 

 

1

 When an EXTFORCE1 or EXTFORCE2 stage is enabled and the supply differ-

ential |AV

DD

 − AV

SS

| > 28 V, take care to ensure that these pins are not directly 

shorted to AV

SS

 voltage at any time because this can cause damage to the device.  

Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings 
may cause permanent damage to the device. This is a stress 
rating only; functional operation of the device at these or any 
other conditions above those indicated in the operational 
section of this specification is not implied. Exposure to absolute 
maximum rating conditions for extended periods may affect 
device reliability.