Техническая Спецификация для Intel III M 866 MHz BXM80530B866512

Модели
BXM80530B866512
Скачать
Страница из 86
 
 Mobile Intel
® 
Pentium
®
 III Processor in BGA2 and Micro-PGA2 Packages at 1 GHz,  
900 MHz, 850 MHz, 800 MHz, 750 MHz, 700 MHz, Low-voltage 750 MHz, Low-voltage  
700 MHz, Low-voltage 600 MHz, Ultra Low-voltage 600 MHz and Ultra Low-voltage 500 MHz 
 
 
283653-002 Datasheet 
65 
6.1 Thermal 
Diode 
The mobile Pentium
 
III processor has an on-die thermal diode that can be used to monitor the die 
temperature(T
J
).   A thermal sensor located on the motherboard, or a stand-alone measurement kit, 
may monitor the die temperature of the processor for thermal management or instrumentation 
purposes. Table 34 and Table 35 provide the diode interface and specifications.  
Note:  The reading of the thermal sensor connected to the thermal diode will not necessarily reflect the 
temperature of the hottest location on the die. This is due to inaccuracies in the thermal sensor, on-
die temperature gradients between the location of the thermal diode and the hottest location on the 
die, and time based variations in the die temperature measurement.  Time based variations can 
occur when the sampling rate of the thermal diode (by the thermal sensor) is slower than the rate at 
which the T
J
 temperature can change.  
Table 34. Thermal Diode Interface 
Signal Name 
Pin/Ball Number 
Signal Description 
THERMDA AA15 
Thermal 
diode 
anode 
THERMDC AB16 
Thermal 
diode 
cathode 
Table 35. Thermal Diode Specifications 
Symbol Parameter 
Min  Typ  Max Unit 
Notes 
I
FW
 
Forward Bias Current 
 
500 
µ
Note 1 
Diode Ideality Factor 
1.0057  1.0080 1.0125   
Notes 2, 3, 4 
NOTES: 
 
1. 
Intel does not support or recommend operation of the thermal diode under reverse bias. Intel does not 
support or recommend operation of the thermal diode when the processor power supplies are not within 
their specified tolerance range. 
2. 
Characterized at 100°C. 
3. 
Not 100% tested. Specified by design/characterization. 
4. 
The ideality factor, n, represents the deviation from ideal diode behavior as exemplified by the diode 
equation: Where I
s
 = saturation current, q = electronic charge, V
d
 = voltage across the diode, k = 
Boltzmann Constant, and T = absolute temperature (Kelvin). 
 
 
=
1
q
S
FW
nkT
V
D
e
I
I