Справочник Пользователя для Motorola MC68HC908MR16

FLASH Memory

FLASH Control Register

MC68HC908MR16/MC68HC908MR32 — Rev. 4.0

Advance Information

 

MOTOROLA

FLASH Memory

 59

The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase 
operations.  

HVEN — High-Voltage Enable Bit

This read/write bit enables the charge pump to drive high voltages for 
program and erase operations in the array. HVEN can only be set if 
either PGM = 1 or ERASE = 1 and the proper sequence for program 
or erase is followed.

1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off

MASS — Mass Erase Control Bit

Setting this read/write bit configures the 32-Kbyte FLASH array for 
mass erase operation.

1 = MASS erase operation selected
0 = MASS erase operation unselected

ERASE — Erase Control Bit

This read/write bit configures the memory for erase operation. 
ERASE is interlocked with the PGM bit such that both bits cannot be 
equal to 1 or set to 1 at the same time.

1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected

PGM — Program Control Bit

This read/write bit configures the memory for program operation. 
PGM is interlocked with the ERASE bit such that both bits cannot be 
equal to 1 or set to 1 at the same time.

1 = Program operation selected
0 = Program operation unselected

Address:

$FE08

Bit  7

6

5

4

3

2

1

Bit  0

Read:

0

0

0

0

HVEN

MASS

ERASE

PGM

Write:

Reset:

0

0

0

0

0

0

0

0

= Unimplemented