National Instruments HPC167064 用户手册

下载
页码 34
Absolute Maximum Ratings
If Military/Aerospace specified devices are required,
please contact the National Semiconductor Sales
Office/Distributors for availability and specifications.
Total Allowable Source or Sink Current
100 mA
Storage Temperature Range
b
65
§
C to
a
150
§
C
Lead Temperature (Soldering, 10 sec.)
300
§
C
V
CC
with Respect to GND
b
0.5V to 7.0V
All Other Pins
(V
CC
a
0.5V) to (GND
b
0.5V)
Note:
Absolute maximum ratings indicate limits beyond
which damage to the device may occur. DC and AC electri-
cal specifications are not ensured when operating the de-
vice at absolute maximum ratings.
DC Electrical Characteristics
V
CC
e
5.0V
g
5% unless otherwise specified, T
A
e
b
55
§
C to
a
125
§
C for HPC167064 and V
CC
e
5.0V
g
10% unless
otherwise specified, T
A
e
0
§
C to 70
§
C for HPC467064
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
CC1
Supply Current
V
CC
e
max, f
IN
e
30.0 MHz (Note 1)
85
mA
V
CC
e
max, f
IN
e
20.0 MHz (Note 1)
70
mA
V
CC
e
max, f
IN
e
2.0 MHz (Note 1)
40
mA
I
CC2
IDLE Mode Current
V
CC
e
max, f
IN
e
30.0 MHz (Note 1)
6.0
mA
V
CC
e
max, f
IN
e
20.0 MHz, (Note 1)
4.5
mA
V
CC
e
max, f
IN
e
2.0 MHz, (Note 1)
1
mA
I
CC3
HALT Mode Current
V
CC
e
max, f
IN
e
0 kHz, (Note 1)
400
m
A
V
CC
e
2.5V, f
IN
e
0 kHz, (Note 1)
100
m
A
INPUT VOLTAGE LEVELS FOR SCHMITT TRIGGERED INPUTS RESET, NMI, AND WO; AND ALSO CKI
V
IH1
Logic High
0.9 V
CC
V
V
IL1
Logic Low
0.1 V
CC
V
ALL OTHER INPUTS
V
IH2
Logic High
0.7 V
CC
*
V
V
IL2
Logic Low
*
0.2 V
CC
V
I
LI1
Input Leakage Current
V
IN
e
0 and V
IN
e
V
CC
(Note 4)
g
2
m
A
I
LI2
Input Leakage Current RDY/HLD, EXUI
V
IN
e
0
b
3
b
50
m
A
I
LI3
Input Leakage Current B12
RESET
e
0, V
IN
e
V
CC
0.5
7
m
A
I
LI4
Input Leakage Current EXM
V
IN
e
0 and V
IN
e
V
CC
(Note 4)
g
10
m
A
C
I
Input Capacitance
(Note 2)
10
pF
C
IO
I/O Capacitance
(Note 2)
20
pF
OUTPUT VOLTAGE LEVELS
V
OH1
Logic High (CMOS)
I
OH
e b
10 mA (Note 2)
V
CC
b
0.1
0.1
V
V
OL1
Logic Low (CMOS)
I
OH
e
10 mA (Note 2)
V
OH2
Port A/B Drive, CK2
I
OH
e b
7 mA
2.4
0.4
V
V
OL2
(A0 – A15, B10, B11, B12, B15)
I
OL
e
3 mA
V
OH3
Other Port Pin Drive, WO (open drain)
I
OH
e b
1.6 mA (except WO)
2.4
0.4
V
V
OL3
(B0 – B9, B13, B14, P0 – P3)
I
OL
e
0.5 mA
V
OH4
ST1 and ST2 Drive
I
OH
e b
6 mA
2.4
0.4
V
V
OL4
I
OL
e
1.6 mA
V
OH5
Port A/B Drive (A0 – 15, B10, B11, B12, B15)
I
OH
e b
1 mA
2.4
0.4
V
V
OL5
when used as External Address/Data Bus
I
OL
e
3 mA
V
RAM
RAM Keep-Alive Voltage
(Note 3)
2.5
V
CC
V
I
OZ
TRI-STATE
É
Leakage Current
V
IN
e
0 and V
IN
e
V
CC
g
5
m
A
Note 1:
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
measured with no external drive (I
OH
and I
OL
e
0, I
IH
, I
IL
e
0 and EXM e V
CC
). I
CC1
is measured with RESET e GND. I
CC3
is measured
with NMI e V
CC
. CKI driven to V
IH1
and V
IL1
with rise and fall times less than 10 ns.
Note 2:
This is guaranteed by design and not tested.
Note 3:
Test duration is 100 ms.
Note 4:
The EPROM mode of operation for this device requires high voltage input on pins EXM/V
PP
, I3, I4, I5, I6 and I7. This will increase the input leakage current
above the normal specification when driven to voltages greater than V
CC
a
0.3V.
*See NORMAL RUNNING MODE.
2