Renesas H8S/2111B 用户手册

ROMF360A_010020040200

 

Rev. 1.00, 05/04, page 431 of 544 

 

Section 18   ROM 

This LSI has an on-chip ROM (flash memory). The features of the flash memory are summarized 
below. 

A block diagram of the flash memory is shown in figure 18.1. 

•  Size 

 

H8S/2111B 64 

Kbytes  H'000000 to H'00FFFF (mode 2) 

H'0000 to H'DFFF (mode 3) 

 

•  Programming/erase methods 

The flash memory is programmed 128 bytes at a time. Erase is performed in single-block units. 
The flash memory is configured as follows: 
  8 Kbytes × 2 blocks, 16 Kbytes × 1 block, 28 Kbytes × 1 block, and 1 Kbyte × 4 blocks 
To erase the entire flash memory, each block must be erased in turn.  

•  Programming/erase time 

It takes 10 ms (typ.) to program the flash memory 128 bytes at a time; 80 µs (typ.) per 1 byte. 
Erasing one block takes 100 ms (typ.).  

•  Reprogramming capability 

The flash memory can be reprogrammed up to 100 times.  

•  Two flash memory on-board programming modes 

  Boot mode 
  User program mode 
On-board programming/erasing can be done in boot mode in which the boot program built into 
the chip is started for erase or programming of the entire flash memory. In user program mode, 
individual blocks can be erased or programmed.  

•  Automatic bit rate adjustment 

With data transfer in boot mode, this LSI's bit rate can be automatically adjusted to match the 
transfer bit rate of the host.  

•  Programming/erasing protection 

Sets protection against flash memory programming/erasing via hardware, software, or error 
protection.