Renesas H8S/2111B 用户手册

Rev. 1.00, 05/04, page 527 of 544 

 

Table 22.12 shows the flash memory characteristics. 

Conditions: V

CC

 = 3.0 V to 3.6 V, V

SS

 = 0 V, T

a

 = –20 to +75°C 

Programming time*

1

, *

2

,*

4

 

t

P

 — 

10 

200 

ms/ 
128 
bytes 

 

Erase time*

1

, *

3

,*

6

 

t

E

 — 

100 

1200 

ms/ 
block 

 

Reprogramming count 

N

WEC

 

— — 100 

times 

 

Wait time after 
SWE-bit setting*

1

 

x 1 — 

— 

µs 

 

Wait time after  
PSU-bit setting*

1

 

y 50 

— 

— 

µs 

 

z1  28 30 32 µs 1 

≤ n ≤ 6 

z2  198 200 202 µs  7 

≤ n ≤ 1000

Wait time after  
P-bit setting*

1

, *

4

 

z3 8  10 12 µs Additional 

write 

Wait time after  
P-bit clear*

1

 

α 5 — — µs 

 

Wait time after  
PSU-bit clear*

1

 

β 5 — 

— 

µs 

 

Wait time after  
PV-bit setting*

1

 

γ 4 — 

— 

µs 

 

Wait time after  
dummy write*

1

 

ε 2 — 

— 

µs 

 

Wait time after  
PV-bit clear*

1

 

η 2 — 

— 

µs 

 

Wait time after 
SWE-bit clear*

1

 

θ 

100 —  —  µs   

Programming 

Maximum 
programming 
count*

1

, *

4

,*

5

 

N  — — 1000 

times