Motorola MC68VZ328 用户手册

下载
页码 376
AC Electrical Characteristics
Electrical Characteristics
19-11
19.3.8  
DRAM Hidden Refresh Cycle (Normal Mode)
Figure 19-8 on page 19-12 shows the DRAM hidden refresh cycle timing diagram for normal mode. The 
signal values and units of measure for this figure are found in Table 19-10 on page 19-12. Detailed 
information about the operation of individual signals can be found in Chapter 7, “DRAM Controller.” 
Table 19-9.   DRAM Write Cycle 16-Bit Access (CPU Bus Master) Timing Parameters
Number
Characteristic
(3.0 ± 0.3) V
Unit
Minimum
Maximum
1
Row address valid to RASx asserted
40
ns
2
DWE
 
asserted before CASx asserted
25
ns
3
OE
 
negated before RASx
 
asserted
0
ns
4
RASx asserted before row address invalid 
(MSW = 0,1)
12,27
ns
5
Column address valid to CASx asserted 
(MSW = 0,1)
10,25
ns
6
RASx asserted to CASx asserted (MSW = 0,1)
28,58
ns
7
RASx pulse width (SLW = 0,1)
90,120
ns
8
CASx
 
pulse width (BC[1:0] = 00,01,10,11)
28,58,88,118
ns
9
Data-out valid before CASx asserted
25
ns
10
Data-out hold after CASx
 
negated
25
ns
11
DWE negated after CASx
 
negated
0
ns
12
CASx asserted before column address invalid
50
ns
13
RASx negated after CASx negated
28
ns
14
RASx precharge time (SLW = 0,1)
50,118
ns
Note:
RASx stands for RAS0 and RAS1. CASx stands for CAS0 and CAS1.
Note:
MSW is bit 5, SLW is bit 3, and BC[1:0] comprises bits 13–12 in the DRAMC register. When the table 
identifies these bits, the sequence of their listed values corresponds to the sequence of timing data provided.