Transcend TS128MSQ64V6U-I 用户手册

下载
页码 3
T
T
T
S
S
S
1
1
1
2
2
2
8
8
8
M
M
M
S
S
S
Q
Q
Q
6
6
6
4
4
4
V
V
V
6
6
6
U
U
U
-
-
-
I
I
I
 
200PIN  DDR2  667  SO-DIMM 
1Rank  1GB  With  128Mx8  CL5 
 
Transcend Information Inc.
 
Description 
The  TS128MSQ64V6U-I  is  a  128M  x  64bits  DDR2-667 
1Rank  SO-DIMM.  The  TS128MSQ64V6U-I  consists  of 
8pcs 128Mx8bits DDR2 SDRAMs in FBGA packages and 
a  2048  bits  serial  EEPROM  on  a  200-pin  printed  circuit 
board. The TS128MSQ64V6U-I is a Dual In-Line Memory 
Module  and  is  intended  for  mounting  into  200-pin  edge 
connector sockets. 
Synchronous design allows precise cycle control with the 
use  of  system  clock.  Data  I/O  transactions  are  possible 
on  both  edges  of  DQS.  Range  of  operation  frequencies, 
programmable  latencies  allow  the  same  device  to  be 
useful  for  a  variety  of  high  bandwidth,  high  performance 
memory system applications. 
Features 
• 
Operating Temperature : -40°C to +85°C 
• 
Gold plating of PCB gold finger is 30u 
• 
RoHS compliant products. 
• 
JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power supply   
• 
VDDQ=1.8V ± 0.1V 
• 
Max clock Freq: 333MHZ; 667Mb/s/Pin. 
• 
Posted CAS   
• 
Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 
• 
Programmable Additive Latency :0, 1, 2, 3 and 4 
• 
Write Latency (WL) = Read Latency (RL)-1 
• 
Burst Length: 4, 8(Interleave/nibble sequential) 
• 
Programmable sequential / Interleave Burst Mode 
• 
Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended   
 
     
data-strobe is an optional feature)         
• 
Off-Chip Driver (OCD) Impedance Adjustment 
• 
MRS cycle with address key programs. 
• 
On Die Termination 
• 
Serial presence detect with EEPROM 
 
Placement 
 
A
A
A
A
B
B
B
B
D
D
D
D
E
E
E
E
C
C
C
C
F
F
F
F
G
G
G
G
H
H
H
H
IIII
JJJJ
K
K
K
K
 
 
 
PCB: 09-2301