Quectel Wireless Solutions Company Limited 201807EG95NA 用户手册

下载
页码 87
LTE  Module  Series 
                                                                                                  EG95  Hardware  Design
 
 
EG95_Hardware_Design                                                                                                                              29 / 81 
 
 
 
3.6.2. 
Decrease Voltage Drop 
The power supply range of the module is from 3.3V to 4.3V. Please make sure that the input voltage will 
never  drop  below  3.3V.  The  following  figure  shows  the  voltage  drop  during  burst  transmission  in  2G 
network. The voltage drop will be less in 3G and 4G networks. 
VBAT
Min.3.3V
Ripple
Drop
Burst 
Transmission
Burst 
Transmission
 
Figure 7: Power Supply Limits during Burst Transmission 
 
To decrease voltage drop, a bypass capacitor of about 100µF with low ESR (ESR=0.7Ω) should be used, 
and a multi-layer ceramic chip (MLCC) capacitor array should also be reserved due to its ultra-low ESR. It 
is recommended to use three ceramic capacitors (100nF, 33pF, 10pF) for composing the MLCC array, 
and place these capacitors close to VBAT_BB/VBAT_RF pins. The main power supply from an external 
application has to be a single voltage source and can be expanded to two sub paths with star structure. 
The width of VBAT_BB trace should be no less than 1mm, and the width of VBAT_RF trace should be no 
less than 2mm. In principle, the longer the VBAT trace is, the wider it will be. 
 
In addition, in order to get a stable power source, it is suggested that a zener diode whose dissipation 
power  is  more  than  0.5W  should  be  used.  The  following  figure  shows  the  star  structure  of  the  power 
supply.   
Module
VBAT_RF
VBAT_BB
VBAT
C1
100uF
C6
100nF
C7
33pF
C8
10pF
+
+
C2
100nF
C5
100uF
C3
33pF
C4
10pF
D1
 
Figure 8: Star Structure of the Power Supply