Transcend 512 MB DDR2 DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory TS64MSQ64V5J 用户手册

产品代码
TS64MSQ64V5J
下载
页码 11
T
T
T
S
S
S
6
6
6
4
4
4
M Q
M
M
S
S
S
Q
Q
6
6
6
4
4
4
V
V
V
5
5
5
J
J
J
 
200PIN DDR2 533 SO-DIMM
512MB With 64Mx8 CL4
 
Transcend Information Inc.
 
1
Description 
The TS64MSQ64V5J is a 64M x 64bits DDR2-533 
SO-DIMM. The TS64MSQ64V5J consists of 8pcs 
64Mx8its DDR2 SDRAMs in 60 ball FBGA packages and 
a 2048 bits serial EEPROM on a 200-pin printed circuit 
board. The TS64MSQ64V5J is a Dual In-Line Memory 
Module and is intended for mounting into 200-pin edge 
connector sockets. 
Synchronous design allows precise cycle control with the 
use of system clock. Data I/O transactions are possible 
on both edges of DQS. Range of operation frequencies, 
programmable latencies allow the same device to be 
useful for a variety of high bandwidth, high performance 
memory system applications. 
Features 
•  JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power supply   
•  VDDQ=1.8V ± 0.1V 
•  Max clock Freq: 267MHZ; 533Mb/s/Pin. 
•  Posted CAS   
•  Programmable CAS Latency: 3,4,5 
•  Programmable Additive Latency :0, 1,2,3 and 4 
•  Write Latency (WL) = Read Latency (RL)-1 
•  Burst Length: 4,8(Interleave/nibble sequential) 
•  Programmable sequential / Interleave Burst Mode 
•  Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended   
 
     
data-strobe is an optional feature)     
•  Off-Chip Driver (OCD) Impedance Adjustment 
•  MRS cycle with address key programs. 
•  On Die Termination 
•  Refresh and Self Refresh 
          Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 
85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95  °C 
•  Serial presence detect with EEPROM 
 
 
Placement 
 
 
A
B
D
E
C
F
G
H
I
J
K
 
 
PCB: 09-2120