Texas Instruments OPA1S2385 Evaluation Module OPA1S2385EVM OPA1S2385EVM 数据表

产品代码
OPA1S2385EVM
下载
页码 23
OPA1S2384/5
A
OUT A
-IN A
+IN A
B
IN S
+IN B -IN B
V-
V+
SC
(1)
OUT B
SBOS645A – DECEMBER 2012 – REVISED JUNE 2013
250-MHz, CMOS Transimpedance Amplifier (TIA)
with Integrated Switch and Buffer
Check for Samples:
1
FEATURES
DESCRIPTION
The OPA1S2384 and OPA1S2385 (OPA1S238x)
2
Wide Bandwidth: 250 MHz
combine
high
bandwidth,
FET-input
operational
High Slew Rate: 150 V/
μ
s
amplifiers with a fast SPST CMOS switch designed
Rail-to-Rail Input/Output (I/O)
for applications that require the tracking and capturing
of fast signals.
Fast Settling
Low Input Bias Current: 3 pA
By providing a 250-MHz gain bandwidth product and
rail-to-rail
input/output
swings
in
single-supply
High Input Impedance: 10
13
Ω
|| 2 pF
operation, the OPA1S238x is capable of wideband
SPST Switch:
transimpedance gain and large output signal swing
Low On-Resistance: 4
Ω
simultaneously. Low input bias current and voltage
noise (6 nV/
Hz) make it possible to amplify
Low Charge Injection: 1 pC
extremely low-level input signals for maximum signal-
Low Leakage Current: 10 pA
to-noise ratio.
Flexible Configuration:
The characteristics of the OPA1S238x make this
Transimpedance Gain
device
ideally
suited
for
use
as
a
wideband
External Hold Capacitor
photodiode amplifier.
Post-Gain
In addition, the CMOS switch and subsequent buffer
Single Supply: +2.7 V to +5.5 V
amplifier
allow
the
OPA1S238x
to
be
easily
configured as a fast sample-and-hold circuit. The
Quiescent Current: 9.2 mA
external hold capacitor and post-gain options make
Small Package: 3-mm × 3-mm SON-10
the OPA1S238x easily adaptable to a wide range of
OPA1S2384: Internal Switch Active High
speed and accuracy requirements. Note that the
OPA1S2384 closes the internal switch with a logic-
OPA1S2385: Internal Switch Active Low
high signal, and the OPA1S2385 closes the internal
switch with a logic-low signal.
APPLICATIONS
The
OPA1S238x
are
optimized
for
low-voltage
Communications:
operation from as low as +2.7 V up to +5.5 V. These
Optical Networking: EPON, GPON
devices are specified for a temperature range of
Signal Strength Monitors
–40°C to +85°C.
Burst-Mode RSSI
Photodiode Monitoring
Fast Sample-and-Hold Circuits
Charge Amplifiers
High-Speed Integrators
(1)
The OPA1S2384 internal switch is active
high; the OPA1S2384 internal switch is
active low.
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
2
All trademarks are the property of their respective owners.
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.
Copyright © 2012–2013, Texas Instruments Incorporated
Products conform to specifications per the terms of the Texas
Instruments standard warranty. Production processing does not
necessarily include testing of all parameters.