Texas Instruments Evaluation Board for the LMV832 3.3MHz EMI Hardened Operation Amplifier LMV832MMEVAL LMV832MMEVAL 数据表

¸

¸

¹

·

¨

¨

©

§

'

V

OS

V

RF_PEAK

EMIRR

V

RF_PEAK

= 20 log

To demonstrate the EMI robustness of the LMV831/LMV832/LMV834 and to be able to measure the
parameter EMIRR, three evaluation boards have been developed; one for each device. This document
describes the evaluation boards and explains how to perform EMIRR measurements. Focus is on one of
the input pins as those are most sensitive to EMI. Based on symmetry considerations, it can be expected
that both inputs have the same EMIRR. For reasons of simplicity of the required schematic the
measurement on the IN+ pin is selected. A detailed description on EMI and EMIRR for the other pins can
be found in the AN-1698 A Specification for EMI Hardened Operational Amplifiers Application Report
(

To identify EMI robust op amps, a parameter is defined that quantitatively describes the EMI performance.
A quantitative measure enables the comparison and the ranking of op amps on their EMI robustness. The
definition of the parameter EMIRR is given by:

where V

RF_PEAK

is the amplitude of the applied unmodulated RF signal (V) and

Δ

V

OS

is the resulting input-

referred offset voltage shift (V).

To have best defined RF levels on the pin under test, no op amp feedback elements should be in the RF
signal path. Therefore, the op amp is connected in an unity-gain configuration. This yields the lowest level
of RF filtering due to a feedback network. Schematics and layouts are included in this application report.

Care needs to be taken in applying the RF signal to the pin under test. Signals up to a few GHz will be
used, so the whole RF signal path needs to match the characteristic impedance of the RF generator. This
requires proper coaxial cabling from the generator to the test board. On the test board a 50

Ω

stripline

needs to be used to bring the RF signal as close as possible to the pin under test. In this case the stripline
can be connected directly from the connector to the IN+ pin. A 50

Ω

termination at the pin under test is

also required. For symmetry reasons this is done with two 100

Ω

resistors in parallel, one on each side of

the strip line. Setting up the test environment with a 50

Ω

resistor close to the LMV831/LMV832/LMV834

ensures that the RF levels at the pin under test are well defined. This 50

Ω

resistor is also used to set the

bias level of the IN+ pin to ground level. The DC measurements are taken at the output of the op amp.
Since the op amp is in the unity gain configuration, the input referred offset voltage shift corresponds one-
to-one to the measured output voltage shift.

When the pin under test is tested, the other pins need to be decoupled for RF signals. This ensures that
the obtained offset voltage shift is dominantly a result of coupling the RF signal to the pin under test. For
this decoupling standard, SMD components can be used.

All trademarks are the property of their respective owners.

1

SNOA530A – October 2008 – Revised April 2013

Copyright © 2008–2013, Texas Instruments Incorporated