Analog Devices ADP2291 Evaluation Board ADP2291RM-EVALZ ADP2291RM-EVALZ 数据表

产品代码
ADP2291RM-EVALZ
下载
页码 20
  
ADP2291
 
Rev. A | Page 13 of 20 
In cases where the voltage drop across the protection device 
must be kept low, a P MOSFET is recommended. Connect the 
MOSFET as shown in Figure 21. 
ADP2291
RS
INPUT
4.6V–12V
IN
CHG
CIN
CS
DRV
04873-021
 
Figure 21. Reverse Input Protection 
 
EXTERNAL PASS TRANSISTOR  
Choose the external PNP pass transistor based on the given 
operating conditions and power handling capabilities. The pass 
device is determined by the base drive available, the input and 
output voltage, and the maximum charge current.  
Select the pass transistor with a collector-emitter breakdown 
voltage that exceeds the maximum adapter voltage. A V
CEO
 
rating of at least 15 V is recommended.  
Providing a charge current of I
MAX
 with a minimum base drive 
of 40 mA requires a PNP beta of at least 
β
MIN
 = 
mA
40
MAX
MAX
I
I
I
=
Β
 (5) 
Note that the beta of a transistor drops off with collector 
current. Therefore, make sure the beta at I
MAX
 meets the 
minimum requirement.  
For cases where the adapter voltage is low (less than 5.5 V), 
calculate the saturation voltage by 
V
CE(SAT)
 = 
V
ADAPTER(MIN)
 − 
V
PROTECT
 − 
V
RS
 − 
V
BAT
 (6) 
where V
PROTECT
 is the forward drop of the reverse input 
protection. 
The power handling capability of the PNP pass transistor is 
another important parameter. The maximum power dissipation 
of the pass transistor is estimated using 
P
DISS
 (W) = I
MAX
 × (V
ADAPTER(MAX)
 − V
PROTECT
 − V
RS
 − V
BAT
) (7) 
where
 V
RS
 = 50 mV to 150 mV at V
ADJ
 = 1.5 V to 3.0 V,  
V
BAT
 = 2.8 V, the lowest cell voltage where fast charge can occur. 
Note that the adapter voltage can be either preregulated or 
unregulated. In the preregulated case, the difference between 
the maximum and minimum adapter voltage is small. In this 
case, use the maximum regulated adapter voltage to determine 
the maximum power dissipation. In the unregulated case, the 
adapter voltage can have a wide range specified. However, the 
maximum voltage specified is usually with no load applied. 
Therefore, the worst-case power dissipation calculation often 
leads to an over-specified pass device. In either case, it is best to 
determine the load characteristics of the adapter to optimize the 
charger design.  
For example:  
V
ADAPTER(MIN)
 = 5.0 V 
V
ADAPTER(MAX)
 = 6.0 V  
I
MAX
 = 500 mA 
V
PROTECT
 = 0.2 V at 500 mA 
V
ADJ
 = 3 V 
V
RS
 = 150 mV  
β
MIN
 = 
5
.
12
mA
40
mA
500
=
=
Β
I
I
MAX
 
V
CE(SAT)
 = 
V
ADAPTER(MIN)
 − 
V
PROTECT
 − 
V
RS
 − 
V
BAT 
= 5.0 V − 0.2 V − 0.15 V − 4.2 V 
= 0.45 V 
P
DISS
 (W) = I
MAX
 × (
V
ADAPTER(MAX)
 − 
V
PROTECT
 − 
V
RS
 − 
V
BAT
= 0.50 A × (6.0 V − 0.2 V − 0.15 V − 2.8 V) 
= 1.4 W 
A guide for selecting the PNP pass transistor is shown in Table 5. 
Table 5. PNP Pass Transistor Selection Guide 
Vendor  
Part Number  
Package  
Max PD @ 25°C 
Beta @ 1 A 
VCE (SAT) 
Fairchild  
FSB6726  
NZT45H8 
SuperSOT 
SOT223 
0.5 W 
1.5 W 
150 
110 
0.5 V 
0.1 V 
ON Semiconductor® 
MTB35200 
BCP53T1 
MMJT9435 
TSOP-6 
SOT223 
SOT223 
0.625 W 
1.5 W 
1.6 W 
200 
35 
200 
0.175 V 
0.3 V 
0.18 V 
Philips  
BCP51  
SOT223  
1.3 W  
50  
0.5 V  
ZETEX  
ZXT10P20DE6 
ZXT2M322 
FZT549 
FMMT549 
SOT23-6 
2 mm × 2 mm MLP 
SOT223 
SOT23 
1.1 W 
1.5 W 
2 W 
0.5 W  
270 
270 
130 
130  
0.17 V 
0.17 V 
0.25 V 
0.25 V