Nxp Semiconductors PBLS4004D User Manual
PBLS4004D_3
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 6 January 2009
8 of 15
NXP Semiconductors
PBLS4004D
40 V PNP BISS loadswitch
V
CE
=
−
5 V
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
−
55
°
C
T
amb
= 25
°
C
Fig 5.
TR1 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
collector current; typical values
Fig 6.
TR1 (PNP): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=
−
5 V
(1) T
amb
=
−
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
=
−
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 7.
TR1 (PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
of collector current; typical values
Fig 8.
TR1 (PNP): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
a function of collector current; typical values
006aaa465
400
800
1200
h
FE
0
I
C
(mA)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
(2)
(3)
(1)
006aaa469
−
0.8
−
1.6
−
2.4
I
C
(A)
0
V
CE
(V)
0
−
5
−
4
−
2
−
3
−
1
I
B
(mA) =
−
24
−
2.4
−
4.8
−
7.2
−
12
−
14.4
−
9.6
−
16.8
−
19.2
−
21.6
006aaa467
−
0.6
−
0.4
−
0.8
−
1.0
V
BE
(V)
−
0.2
I
C
(mA)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
(3)
(1)
(2)
006aaa468
−
0.5
−
0.9
−
1.3
V
BEsat
(V)
−
0.1
I
C
(mA)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
(2)
(3)
(1)