Техническая Спецификация для Intel D2500 DF8064101055400

10

Datasheet - Volume 1 of 2

•

One channel of DDR3 

•

memory (consists of 64 data lines):
— Maximum of two SODIMMs per channel for D2000 series and N2800 Processor 

performance, containing single or double-sided SODIMM

— Maximum of one SODIMMs per channel for N2600 series Processor only, 

containing single or double-sided SODIMM.

•

Memory DDR3 data transfer rates of 800 MT/s (6.4 GB/s) and 1066 MT/s

(8.5 GB/s)

•

Only non-ECC SODIMMs are supported

•

Refreshed SKU of Next Generation Intel® Atom™ Processor based Mobile Platform 

Processors support DDR3/DDR3L.

•

Support Small Outline DIMMs Raw Cards RC-A (2Rx16), RC-B(1Rx8), RC-C (1Rx16) 

and RC-F (2Rx8) for DDR3. Support Small Outline DIMMs Raw Cards RC-B (1Rx8) 

and RC-F (2Rx8) for DDR3L.
— Does not support RC-D (2Rx16 dual die), and RC-E(2Rx16)
— No mixed Raw Card support.

•

Support unbuffered SODIMMs

•

Supports Memory Down Design with Raw Card Type B only

•

I/O Voltage of 1.5 V for DDR3. I/O Voltage of 1.35 V for DDR3L.

•

Max memory size by sku: N2600 series 2 GB; N2800, D2500 & D2700 series 4 GB

•

Supports total memory size of 1 GB, 2 GB and 4 GB max

•

Supports Max densities 1 Gbit, 2 Gbit for both x8 and x16 for DDR3

•

DRAM Chip Data Width: x8 and x16

•

Banks / DRAM Chip: 8

•

Support up to 32 simultaneous open pages per channel (assuming 4 ranks of 

8 devices)

•

Support Partial Writes to memory using Data Mask signals (DM)

•

Enhances Address Mapping

•

Support DIMM page size of 1 KB and 2 KB

•

Support data burst length of 8 and Burst Chopped of 4 for all memory 

configurations

•

Support memory thermal management scheme to selectively manage reads and/or 

writes. Memory thermal management can be triggered by either on-die thermal 

sensor, or by preset limits. Management limits are determined by weighted sum of 

various commands that are scheduled on the memory interface.