Texas Instruments 2-A Peak Sink/Source DDR Termination Regulator With VTTREF Buffered Reference TPS51206EVM-745 TPS51206EVM-745 Datenbogen

The TPS51206EVM-745 is designed to provide proper termination voltage and a 10-mA buffered
reference voltage for DDR memory which covers DDR2 (0.9VTT), DDR3 (0.75VTT), DDR3L (0.675VTT)
and DDR4 (0.6VTT) specifications with minimal external components.

•

DDR2/DDR3/DDR3L/DDR4 memory power supplies

•

SSTL_18, SSTL_15, SSTL_135, and HSTL termination

•

VDD voltage: support 5-V rail and 3.3-V rail

•

VLDOIN, VDDQ voltage range: 1.2 V

–

1.8 V

•

Build-in, onboard transient load (with both sinking and sourcing capability) to emulate the sink/source
transient behavior which helps to evaluate the dynamic performance. For ease of use, both load step
and timing of transient can be modified by onboard resistors.

–

DDR2 (0.9VTT):

±

1.8-A sink/source transient load

–

DDR3 (0.75VTT):

±

1.5-A sink/source transient load

–

DDR3L (0.675VTT):

±

1.35-A sink/source transient load

–

DDR4 (0.6VTT):

±

1.2-A sink/source transient load

•

Switch S1, S2 for S3 and S5 Enable function

•

Convenient test points for probing VTT, VTTREF, CLK_IN and loop response testing

•

Four-layer, printed-circuit board (PCB) with all the components on the bottom side

VDD voltage range

5/3.3

V

VDDQ voltage range

1.2

1.8

V

VLDOIN voltage range

VTT+0.4

3.5

V

DDR2 (0.9VTT)

VTT

0.9

V

VTTREF

0.9

DDR3 (0.75VTT)

VTT

0.75

V

VTTREF

0.75

V

DDR3L (0.675VTT)

VTT

0.675

V

VTTREF

0.675

V

VTT

0.6

V

DDR4 (0.6VTT)

VTTREF

0.6

V

For DDR2(0.9VTT) and DDR3(0.75VTT)

-2

2

A

VTT termination current(I

VTT

)

For DDR3L(0.675VTT) and DDR4(0.6VTT)

–

1.5

1.5

VTTREF termination current(IV

TTREF

)

–

10

10

mA

VTT sink current limit

2

A

VTT source current limit

2

A

(1)

Note: Jumpers set to default locations, See

of this user

’

s guide

3

SLUU515

–

August 2011

Copyright

©

2011, Texas Instruments Incorporated