Texas Instruments Single 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifier, Evaluation module LMV851EVAL/NOPB LMV851EVAL/NOPB Datenbogen

signal is applied to the pin under test, that is, the setup and test board need the careful treatment of an RF
setup. It should be noted that when a higher resolution is required, the EMIRR can also be determined by
using an AM modulated RF carrier and then with a spectrum analyzer measuring the level of the down
converted amplitude modulation. In this case, for the EMIRR calculation some correction factors are
required to account for the different way of measuring.

As the disturbing RF signal can come in through all of the op amp pins, EMIRR tests are described for all
op amp pins individually:

•

IN+

•

IN

−

•

V

DD

•

V

SS

•

V

OUT

Before discussing the setup for each of the pins, first some general remarks and guidelines are given that
need to be considered when building the test circuit and taking the measurements.

To have best defined RF levels on the pin under test, no op amp feedback elements should be in the RF
signal path. Therefore, if possible, the op amp should be connected in a unity-gain configuration. This
yields the lowest level of RF filtering due to the feedback network.

Care needs to be taken in how the RF signal is applied to the pin under test. Signals up to a few GHz will
be used, so the whole RF signal path needs to match the characteristic impedance of the RF generator.
This requires proper coaxial cabling from the generator to the test board. On the test board a 50

Ω

stripline

needs to be used to bring the RF signal as close as possible to the pin under test. A 50

Ω

termination at

the pin under test is also required. Setting up the test environment in this way ensures that the RF levels
at the pin under test are well defined.

When the pin under test is tested, the other pins need to be decoupled for RF signals. This ensures that
the obtained offset voltage shift is dominantly a result of coupling the RF signal to the pin under test. For
this decoupling standard SMD components can be used.

The measurement procedure is the same for all five test circuits. To measure the input referred offset
voltage shift needed for calculating the EMIRR, the following procedure can be used:

1. Measure V

OUT

when the RF signal is off.

2. Measure V

OUT

when the RF signal is on.

3. Translate measured V

OUT

voltages to input referred voltages (divide by the circuit gain).

4. Subtract the two measured input referred voltages.

5. Verify if the offset shift is above the noise level of the op amp and the op amp is not saturated. If this is

not the case choose another RF level and start the procedure again.

6. Calculate the EMIRR.

7. If needed, transform the results to an EMIRR based on a 100 mV

P

RF signal.

5

SNOA497B – September 2007 – Revised April 2013

Copyright © 2007–2013, Texas Instruments Incorporated