Texas Instruments Single 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifier, Evaluation module LMV851EVAL/NOPB LMV851EVAL/NOPB Datenbogen

+

-

C

4

10 

P

F

V

DD

V

SS

OUT

R

2

50

:

RFin V

SS

C

2

22 pF

R

1

50

:

+

L

1

1 

P

H

L

2

1 

P

H

C

1

100 pF

C

3

100 pF

RFin V

DD

C

5

100 pF

Remove when
RF on V

DD

C

6

10 

P

F

+

C

7

100 pF

Remove when
RF on V

SS

+

-

R

3

R

1

1 k

:

50

:

RFin

C

6

220 pF

C

3

100 pF

100 pF

V

DD

V

SS

OUT

R

2

1 k

:

22 pF

C

1

C

4

+

10 µF

C

2

+

10 µF

C

5

For coupling an RF signal to the supply pins, the op amp can again be connected in the unity gain
configuration. A single PCB can serve for measuring the EMIRR for both supply pins, V

DD

and V

SS

.

depicts the schematic. On this PCB both RF signal paths from the RF injection point to a supply

pin should be a 50

Ω

stripline with a 50

Ω

termination. It is important to remove the decoupling capacitor on

the pin that is under test. Thus, when injecting an RF signal on the V

DD

pin, capacitor C

4

and C

5

should be

removed, while capacitor C

6

and C

7

should be removed when injecting an RF signal on the V

SS

pin. The

inductors L

1

and L

2

are used to isolate the power supply sources from the RF signal. This prevents the

sources from detecting the RF signal that might deteriorate the measurement accuracy.

7

SNOA497B – September 2007 – Revised April 2013

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