Texas Instruments Development Kit for TM4C129x,Tiva™ ARM® Cortex™ -M4 Microcontroller DK-TM4C129X DK-TM4C129X Datenbogen

All GPIO signals are 3.3-V tolerant, except for PB1 (

USB0VBUS

) which is 5-V tolerant. See

“Signal Description” on page 772 for more information on GPIO configuration.

Two types of pads are provided on the device:

■ Fast GPIO pads: These pads provide variable, programmable drive strength and optimized

voltage output levels.

■ Slow GPIO pads: These pads provide 2-mA drive strength and are designed to be sensitive to

voltage inputs. The following GPIOs port pins are designed with Slow GPIO Pads:
– PJ1

Port pins

PL6

and

PL7

operate as Fast GPIO pads, but have 4-mA drive capability only.

GPIO register controls for drive strength, slew rate and open drain have no effect on these
pins. The registers which have no effect are as follows: GPIODR2R, GPIODR4R,
GPIODR8R, GPIODR12R, GPIOSLR, and GPIOODR.

Port pins

PM[7:4]

operate as Fast GPIO pads but support only 2-, 4-, 6-, and 8-mA drive

capability. 10- and 12-mA drive are not supported. All standard GPIO register controls,
except for the GPIODR12R register, apply to these port pins.

abcd

pF

50

-

-

Capacitive loading for measurements given in this
table

e

C

LGPIO

kΩ

20.2

16.0

12.1

Fast GPIO internal pull-up resistor

f

R

GPIOPU

kΩ

40

-

25

Fast GPIO

PL6

and

PL7

(4-mA only) pull-up resistor

R

GPIOPU4MA

kΩ

35.5

20.5

13.0

Fast GPIO internal pull-down resistor

f

R

GPIOPD

kΩ

17

14.3

10

Fast GPIO

PL6

and

PL7

(4-mA only) pull-down resistor

R

GPIOPD4MA

nA

400

-

-

Fast GPIO input leakage current, 0 V ≤ V

IN

≤ V

DD

GPIO

pins

g

I

LKG+

nA

400

-

-

Fast GPIO input leakage current, 0 V < V

IN

≤ V

DD

, Fast

GPIO pins configured as ADC or analog comparator
inputs

µA

60

-

-

DC injection current, V

IN

≤ 0 V

I

INJ-

mA

-0.5

-

-

Max negative injection if not voltage protected

d

I

MAXINJ-

ns

11.73

7.85

-

Fast GPIO rise time, 2-mA drive

h

T

GPIOR

ns

6.35

4.15

Fast GPIO rise time, 4-mA drive

h

ns

3.73

2.33

Fast GPIO rise time, 8-mA drive

h

ns

5.76

3.77

Fast GPIO rise time, 8-mA drive with slew rate control

h

ns

3.22

1.98

Fast GPIO rise time, 10-mA drive

h

ns

2.9

1.75

Fast GPIO rise time, 12-mA drive

h