Diotec Bipolar transistor Emitter reverse vo MPSA92 Datenbogen

Produktcode
MPSA92
Seite von 2
MPSA92 / MPSA94
MPSA92 / MPSA94
PNP
High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren
PNP
Version 2009-05-07
Dimensions / Maße [mm]
Power dissipation
Verlustleistung
625 mW
Plastic case 
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (T
A
 = 25°C)
Grenzwerte (T
A
 = 25°C)
MPSA92
MPSA94
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
B open
- V
CEO
300 V
400 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
E open
- V
CBO
300 V
400 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
C open
- V
EBO
5 V
Power dissipation – Verlustleistung
P
to
t
625 mW 
Collector current – Kollektorstrom (dc)
- I
C
300 mA
Base current – Basisstrom
- I
B
100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
T
j
-55...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
S
-55…+150°C
Characteristics (T
j
 = 25°C)
Kennwerte (T
j
 = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
 = 0, - V
CB
 = 200 V
I
E
 = 0, - V
CB
 = 160 V
MPSA92
MPSA94
- I
CB0
- I
CB0
250 nA
250 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom 
I
B
 = 0, - V
EB
 = 3 V
- I
EB0
100 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 
) 
- I
C
 = 20 mA, - I
B
 = 2 mA 
MPSA92
MPSA94
- V
CEsat
- V
CEsat
500 mV
500 mV
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 
2
)
- I
C
 = 20 mA, - I
B
 = 2 mA
- V
BEsat
0.9 V
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%  –  Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
16
18
9
2 x 2.54
E B C