Diotec Bipolar transistor Emitter reverse vo MPSA42 Datenbogen

MPSA42

Version 2010-09-30

Dimensions / Maße [mm]

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

Weight approx.

Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung

B open

V

CEO

300 V

Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung

E open

V

CBO

300 V

Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung

C open

V

EBO

6 V

Power dissipation – Verlustleistung

P

tot

625 mW 

Collector current – Kollektorstrom (dc)

I

C

500 mA

Base current – Basisstrom

I

B

100 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

T

j

-55...+150°C

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

S

-55…+150°C

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I

E

 = 0, V

CB

 = 200 V

MPSA42

I

CB0

–

–

100 nA

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom 

I

B

 = 0, V

EB

 = 6 V

MPSA42

I

EB0

–

–

100 nA

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 

) 

I

C

 = 20 mA, I

B

 = 2 mA

MPSA42

V

CEsat

–

–

500 mV

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%  –  Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

16

18

9

2 x 2.54

E B C