Fairchild Semiconductor N/A D44H8 Datenbogen

© 2010 Fairchild Semiconductor Corporation

  www.fairchildsemi.com

D44H8 / NZT44H8 / D44H11 Rev. B2

1 

February 2010

• This device is designed for power amplifier, regulator and switching circuits where speed is important.
• Sourced from process 4Q.

T

A

=25°C unless otherwise noted

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150

°C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle
 operations.

T

A

=25

°C unless otherwise noted

*Device mounted on FR-4 PCB 36mm X 18mm X 1.5mm; mounting pad for the collector lead min. 6cm

2

.

V

CEO

Collector-Emitter Voltage

60

80

V

I

C

Collector Current        - Continuous

8.0

10.0

A

T

J

, T

STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

P

D

Total Device Dissipation

Derate above 25

°C

60

480

1.5

12

W

mW/

°C

R

θJC

Thermal Resistance, Junction to Case

2.1

°C/W

R

θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

62.5

83.3

°C/W

          

C

B

C

  

E

B    C    E