Fairchild Semiconductor N/A MJD112TF Datenbogen

©2006 Fairchild Semiconductor Corporation

www.fairchildsemi.com

MJD112 Rev. B

tm

November 2006

• High DC Current Gain
• Built-in a Damper Diode at E-C
• Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)

 

 
 

 
 
 
 
 
 
 

 

T

a

 = 25°C unless otherwise noted

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

T

a

=25

°C unless otherwise noted 

* Pulse Test: Pulse Width

≤300µs, Duty Cycle≤2%

 V

CBO

 Collector-Base Voltage

100

V

 V

CEO

 Collector-Emitter Voltage

100

V

 V

EBO

 Emitter-Base Voltage

  5

V

 I

C

 Collector Current (DC)

  2

A

 I

CP

 Collector Current (Pulse)

  4 

A

 I

B

 Base Current

  50

mA

 P

C

 Collector Dissipation (T

C

=25

°C)

  20

W

 Collector Dissipation (T

a

=25

°C)

1.75

W

 T

J

 Junction Temperature

 150

°C

 T

STG

 Storage Temperature

- 65 ~ 150

°C

 V

CEO

(sus)

 Collector-Emitter Sustaining Voltage

 I

C 

= 30mA, I

B 

= 0

 100

V

 I

CEO

 Collector Cut-off Current

 V

CE 

= 50V, I

B 

= 0

20

µA

 I

CBO

 Collector Cut-off Current

 V

CB 

= 100V, I

B 

= 0

20

µA

 I

EBO

 Emitter Cut-off Current

 V

EB 

= 5V, I

C 

= 0

 2

mA

 h

FE

* DC Current Gain

 V

CE 

= 3V, I

C 

= 0.5A

 V

CE 

= 3V, I

C

 = 2A

 V

CE 

= 3V, I

C 

= 4A

 500

1000

 200

12K

 V

CE

(sat)

* Collector-Emitter Saturation Voltage

 I

C 

= 2A, I

B 

= 8mA

 I

C 

= 4A, I

B 

= 40mA

  2
  3

V
V

 V

BE

(sat)

* Base-Emitter Saturation Voltage

 I

C 

= 4A, I

B 

= 40mA

  4

V

 V

BE

(on)

* Base-Emitter On Voltage

 V

CE 

= 3A, I

C 

= 2A

2.8

V

 f

T

 Current Gain Bandwidth Product

 V

CE 

= 10V, I

C 

= 0.75A

  25

MHz

 

C

ob

 

 Output Capacitance

 V

CB 

= 10V, I

E 

= 0

 f = 0.1MHz

100

pF

1.Base    2.Collector    3.Emitter

D-PAK

1

R1

10k

Ω

≅

R2

0.6k

Ω

≅

Equivalent Circuit

B

E

C

R1

R2