Fujitsu FR81S User Manual

Page of 2342
CHAPTER 46: WORKFLASH MEMORY 
 
 
5. Operation 
 
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED 
CHAPTER : WORKFLASH MEMORY 
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 
19 
5.3.1. Command Sequence 
The command sequence is shown below. 
The automatic algorithm starts when half-word (16-bit) data is written to the flash memory once to six times 
in a row. This is called a command. The command sequences are shown below. 
Table 5-1 Command Sequence 
Command 
Number 
of 
writing 
1st time 
2nd time 
3rd time 
4th time 
5th time 
6th time 
Address 
Dat
Address 
Data 
Address 
Data 
Address 
Data 
Address 
Data 
Address 
Data 
Reset 
arbitrary 
F0
H
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Read 
RA 
R
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Write 
AA8
H
  A
A
H
  554
H
  55
H
  AA8
H
  A0
H
 
PA 
PD 
 
 
 
 
Chip erase 
AA8
H
  A
A
H
  554
H
  55
H
  AA8
H
  80
H
  AA8
H
  AA
H
  554
H
  55
H
  AA8
H
  10
H
 
Sector erase 
AA8
H
  A
A
H
  554
H
  55
H
  AA8
H
  80
H
  AA8
H
  AA
H
  554
H
  55
H
 
SA 
30
H
 
Sector erase 
suspend 
arbitrary  B0
H
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Sector erase 
resume 
arbitrary  30
H
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
* The data written in the table only shows the lower 8-bit. The upper 8-bit can be any value. The commands 
must be written as bytes or half-words. 
* The addresses written in the table only show the lower 12-bit. Set the upper 20-bit to any address within 
the address range of the target flash macro. 
PA: Write address (half-word alignment) 
PD: Write data (Write as 16-bit.) 
SA: Sector address (specify an arbitrary address within the address range of the sector to erase.) 
RA: Read address 
RD: Read data (the read width is arbitrary.)   
MB91520 Series
MN705-00010-1v0-E
1990