Intel E3-1275 CM8062307262003 User Manual

Product codes
CM8062307262003
Page of 112
Electrical Specifications
84
Datasheet, Volume 1
Notes:
1.
V
CCAXG 
is VID based rail. 
2.
Unless otherwise noted, all specifications in this table are based on estimates and simulations or empirical 
data. These specifications will be updated with characterized data from silicon measurements at a later 
date.
3.
The V
AXG_MIN
 and V
AXG_MAX
 loadlines represent static and transient limits.
4.
The loadlines specify voltage limits at the die measured at the VAXG_SENSE and VSSAXG_SENSE lands. 
Voltage regulation feedback for voltage regulator circuits must also be taken from processor VAXG_SENSE 
and VSSAXG_SENSE lands. 
5.
PSx refers to the voltage regulator power state as set by the SVID protocol.
6.
Each processor is programmed with a maximum valid voltage identification value (VID) that is set at 
manufacturing and cannot be altered. Individual maximum VID values are calibrated during manufacturing 
such that two processors at the same frequency may have different settings within the VID range. Note 
that this differs from the VID employed by the processor during a power management event (Adaptive 
Thermal Monitor, Enhanced Intel SpeedStep Technology, or Low Power States).
Table 7-7.
Processor Graphics VID based (V
AXG
) Supply DC Voltage and Current 
Specifications
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Note
2
V
AXG
 GFX_VID 
Range
GFX_VID Range for V
CCAXG
0.2500
—
1.5200
V
1
LL
AXG
V
CCAXG
 Loadline Slope
4.1
m
3, 4
V
AXG
TOB
V
CC
 Tolerance Band
PS0, PS1
PS2
19
11.5
mV
3, 4, 5
V
AXG
Ripple
Ripple:
PS0
PS1
PS2
±10
±10
-10/+15
mV
3, 4, 5
I
AXG
Current for Processor Graphics 
core
—
—
35
A
I
AXG_TDC
Sustained current for Processor 
Graphics core
—
—
25
A
Table 7-8.
DDR3 Signal Group DC Specifications (Sheet 1 of 2)
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
Notes
1,9
V
IL
Input Low Voltage
—
—
SM_VREF – 0.1
V
2,4
V
IH
Input High Voltage
SM_VREF + 0.1
—
—
V
3
V
OL
Output Low Voltage
—
(V
DDQ
 / 2)* (R
ON 
/(R
ON
+R
TERM
))
—
6
V
OH
Output High Voltage
—
V
DDQ
 – ((V
DDQ
 / 2)* 
(R
ON
/(R
ON
+R
TERM
))
—
V
4,6
R
ON_UP(DQ)
DDR3 data buffer pull-up 
resistance
24.31
28.6
32.9
5
R
ON_DN(DQ)
DDR3 data buffer pull-down 
resistance
22.88
28.6
34.32
5
R
ODT(DQ)
DDR3 on-die termination 
equivalent resistance for data 
signals
83
41.5
100
50
117
65
7
V
ODT(DC)
DDR3 on-die termination DC 
working point (driver set to 
receive mode)
0.43*V
DDQ
0.5*V
DDQ
0.56*V
CC
V
7
R
ON_UP(CK)
DDR3 clock buffer pull-up 
resistance
20.8
26
28.6
5
R
ON_DN(CK)
DDR3 clock buffer pull-down 
resistance
20.8
26
31.2
5