Atmel ARM-Based Evaluation Kit AT91SAM9N12-EK AT91SAM9N12-EK Data Sheet

Product codes
AT91SAM9N12-EK
Page of 248
CP15 Test and Debug Registers 
B-10
Copyright © 2001-2003 ARM Limited. All rights reserved.
ARM DDI0198D
Figure B-5 Write to the data RAM
Note
 On the rising clock edge when MMUxCS=1, the data on MMUxWD is written into the 
data RAM. The exact index is on MMUxADDR (as specified in the Test and Debug 
Address Register). The lanes written are controlled by the MMUxWE[3:0] pins. The 
mapping is as follows:
MMUxWE[0]: 0= read, 1= write MMUxWD[ 29: 0] into RAM
MMUxWE[1]: 0= read, 1= write MMUxWD[ 55:30] into RAM
MMUxWE[2]: 0= read, 1= write MMUxWD[ 85:57] into RAM
MMUxWE[3]: 0= read, 1= write MMUxWD[111:86] into RAM
In the case of the main MMU, the output enable MMUxOE is driven at all times. The 
MMUxRD data bus must be strongly driven at all times. The controller samples the data 
from the MMUxRD data bus when a read is being performed.
Inserting or reading entries in the lockdown TLB
Use this procedure to access entries in the lockdown TLB:
1.
Use the following Debug and Test Address Register instruction to access a 
lockdown TLB entry:
MCR p15, 0, <Rd>, c15, c1, 0
The Rd register selects the lockdown TLB entry as shown in Figure B-6 on 
page B-11.
CLK
MMUxCS
IDX
MMUxADDR
LOC
MMUxWE
WDATA
MMUxWD
RDATA
MMUxRD
MMUxOE