Diotec N/A BC 337/25 NPN Case type TO 92 I(C) 1 A BC337-25 Data Sheet

Product codes
BC337-25
Page of 2
BC337 / BC338
BC337 / BC338
NPN
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
NPN
Version 2006-05-30
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation
Verlustleistung
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (T
A
 = 25°C)
Grenzwerte (T
A
 = 25°C)
BC337
BC338
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short
V
CES
50 V
30 V
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open
V
CEO
45 V
25 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
V
EBO
5 V
Power dissipation – Verlustleistung
P
tot
625 mW 
1
)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
I
C
800 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
I
CM
1 A
Base current – Basisstrom
I
B
100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
 = 25°C)
Kennwerte (T
j
 = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 
2
)
V
CE
 = 1 V, I
C
 = 100 mA
Group -16
Group -25
Group -40
h
FE
h
FE
h
FE
100
160
250
160
250
400
250
400
630
V
CE
 = 1 V, I
C
 = 300 mA
Group -16
Group -25
Group -40
h
FE
h
FE
h
FE
  60
100
170
130
200
320
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 
2
)
I
C
 = 500 mA, I
B
 = 50 mA 
V
CEsat
0.7 V
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
Tested with pulses t
= 300 µs, duty cycle ≤ 2%  –  Gemessen mit Impulsen t
p
 = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
16
18
9
2 x 2.54
C B E