Diotec N/A BC 337/25 NPN Case type TO 92 I(C) 1 A BC337-25 Data Sheet

BC337 / BC338

Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 

2

)

V

CE

 = 1 V, I

C

 = 300 mA, 

V

BE

–

–

1.2 V

Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom

V

CE

  = 45 V, (B-E short)

V

CE

  = 25 V, (B-E short)

BC337

BC338

I

CES

I

CES

–

–

2 nA

2 nA

100 nA

100 nA

V

CE

 = 45 V, T

j

 = 125°C, (B-E short)

V

CE

 = 25 V, T

j

 = 125°C, (B-E short)

BC337

BC338

I

CES

I

CES

–

–

–

–

10 µA

10 µA

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

V

CE

 = 5 V, I

C

 = 10 mA, f = 50 MHz 

f

T

–

100 MHz

–

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

V

CB

 = 10 V, I

E

 =i

e

 = 0, f = 1 MHz

C

CBO

–

12 pF

–

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R

thA

< 200 K/W 

1

)

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

BC327 / BC328

Available current gain groups per type

Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ

BC337-16

BC337-25

BC337-40

BC338-16

BC338-25

BC338-40

2

Tested with pulses t

p 

= 300 µs, duty cycle ≤ 2%  –  Gemessen mit Impulsen t

p

 = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

[%]

P

tot

120

100

80

60

40

20

0

[°C]

T

A

150

100

50

0

Power dissipation versus ambient temperature  )

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )

1

1