Fairchild Semiconductor N/A BC847BS Data Sheet

©2007 Fairchild Semiconductor Corporation

www.fairchildsemi.com

BC847BS Rev. A

June 2007

This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 200 mA.

Sourced from Process 07.

* T

a

 = 25

°C unless otherwise noted

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

* T

a

 = 25

°C unless otherwise noted

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6” X 1.6” X 0.06”.

V

CBO

Collector-Base Voltage

50

V

V

CES

Collector-Base Voltage

50

V

V

CEO

Collector-Emitter Voltage

45

V

V

EBO

Emitter-Base Voltage        

6.0

V

I

C

Collector Current (DC)

100

mA

T

J, 

T

STG

Junction Temperature and Storage Temperature

-55 ~ +150

°C

P

D

Total Device Dissipation
Derate above 25℃

210

1.6

mW

mW/℃

R

θ JA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

625

℃/W

NOTE: The pinouts are symmetrical; pin 1 and pin

4 are interchangeable. Units inside the carrier can

be of either orientation and will not affect the

functionality of the device.

     

 Pin #1