Rohm Semiconductor IMT2AT108 Bipolar Transistor Emitter reverse voltage U(CEO) -50 V IMT2AT108 Data Sheet
Product codes
IMT2AT108
EMT2 / UMT2N / IMT2A
Transistors
Rev.A
2/2
zElectrical characteristics curves
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
−
0.2
COLLECTOR CURRENT : Ic (
mA)
−
50
−
20
−
10
−
5
−
2
−
1
−
0.5
−
0.2
−
0.1
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
1.0
−
1.2
−
1.4
−
1.6
V
CE
=
−
6V
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(
V)
Ta=100˚C
25˚C
−
40˚C
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics (I)
−
0.4
−
4
−
8
−
1.2
0
−
2
−
6
−
10
−
0.8
−
1.6
−
2.0
−
3.5
µ
A
−
7.0
−
10.5
−
14.0
−
17.5
−
21.0
−
24.5
−
28.0
−
31.5
I
B
=0
Ta=25˚C
−
35.0
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
mA)
COLLECTOR TO MITTER VOLTAGE : V
CE
(
V)
Fig.3 Grounded emitter output
characteristics (II)
−
40
−
80
−
5
−
3
−
4
−
2
−
1
−
20
−
60
−
100
0
I
B
=0
Ta=25˚C
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
mA
)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(
V)
−
50
µ
A
−
100
−
150
−
200
−
250
−
500
−
450
−
400
−
350
−
300
Fig.4 DC current gain vs.
collector current (I)
500
200
100
50
−
0.2
−
0.5
−
1
−
2
−
5
−
10
−
20
−
50
−
100
DC CURRENT GAIN : h
FE
Ta=25˚C
V
CE
=
−
5V
−
3V
−
1V
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
mA)
Fig.5 DC current gain vs.
collector current (II)
500
200
100
50
−
0.2
−
0.5
−
1
−
2
−
5
−
10
−
20
−
50
−
100
DC CURRENT GAIN : h
FE
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
mA)
V
CE
=
−
6V
Ta=100˚C
−
40˚C
25˚C
Fig.6 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current (I)
−
0.1
−
0.2
−
0.5
−
1
−
2
−
5
−
10
−
20
−
50
−
100
−
1
−
0.5
−
0.2
−
0.05
Ta=25˚C
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
mA)
I
C
/I
B
=
50
20
10
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : V
CE(sat)
(
V)
Fig.8 Gain bandwidth product vs.
emitter current
50
100
0.5
20
50
100
200
500
1000
1
2
5
10
EMITTER CURRENT : I
E
(
mA)
TRANSITION FREQUENCY : f
T
(
MHz)
Ta=25˚C
V
V
CE
=
−
12V
Fig.7 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current (II)
−
0.1
−
0.2
−
0.5
−
1
−
2
−
5
−
10
−
20
−
50
−
100
−
1
−
0.5
−
0.2
−
0.05
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
mA)
l
C
/l
B
=10
Ta=100˚C
25˚C
−
40˚C
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : V
CE(sat)
(
V)
Fig.9
Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter inputcapacitance vs.
emitter-base voltage
Emitter inputcapacitance vs.
emitter-base voltage
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(V)
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (
pF)
EMITTER INPUT CAPACITANCE : Cib (
pF)
−
0.5
−
20
2
5
10
−
1
−
2
−
5
−
10
20
Cib
Cob
Ta=25˚C
f=1MHz
I
I
E
=
0A
I
C
=
0A