On Semiconductor N/A BD 810 PNP Case type TO 220 AB I(C) 10 BD810G Data Sheet

Product codes

BD810G

BD809 (NPN), BD810 (PNP)

http://onsemi.com

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

= 25°C unless otherwise noted)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Characteristic

ÎÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎÎÎ

Min

ÎÎÎ

Max

ÎÎÎÎ

Unit

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1)

= 0.1 Adc, I

= 0)

ÎÎÎÎÎ

CEO

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

−

ÎÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector Cutoff Current

= 80 Vdc, I

= 0)

ÎÎÎÎÎ

CBO

ÎÎÎÎ

−

ÎÎÎ

1.0

ÎÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Emitter Cutoff Current

= 5.0 Vdc, I

= 0)

ÎÎÎÎÎ

EBO

ÎÎÎÎ

−

ÎÎÎ

2.0

ÎÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC Current Gain

= 2.0 A, V

= 2.0 V)

= 4.0 A, V

= 2.0 V)

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

−

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 1)

= 3.0 Adc, I

= 0.3 Adc)

ÎÎÎÎÎ

CE(sat)

ÎÎÎÎ

−

ÎÎÎ

1.1

ÎÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Base−Emitter On Voltage (Note 1)

= 4.0 Adc, V

= 2.0 Vdc)

ÎÎÎÎÎ

BE(on)

ÎÎÎÎ

−

ÎÎÎ

1.6

ÎÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Current−Gain Bandwidth Product

= 1.0 Adc, V

= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1.5

ÎÎÎ

−

ÎÎÎÎ

MHz

1. Pulse Test: Pulse Width x 300 ms, Duty Cycle x 2.0%.

Figure 1. Active Region DC Safe Operating Area

(see Note 1)

, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

0.1

100

0.3

I C

, COLLECT

OR CURRENT

(AMP)

5 ms

1 ms

.5 ms

1 ms

100

125

150

175

Figure 2. Power−Temperature Derating Curve

, CASE TEMPERATURE (

°C)

, POWER DISSIP

TION (W

TTS)