On Semiconductor N/A MJ 802 NPN Case type TO 3 I(C) 30 A MJ802G Data Sheet
Product codes
MJ802G
MJ802
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
_
C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Breakdown Voltage
(I
C
= 200 mAdc, R
BE
= 100
W
)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
BV
CER
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
(I
C
= 200 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
90
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Base Cutoff Current
(V
CB
= 100 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 100 Vdc, I
E
= 0, T
C
= 150
_
C)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
CBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
5.0
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter−Base Cutoff Current
(V
BE
= 4.0 Vdc, I
C
= 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
(1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(I
C
= 7.5 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter “On” Voltage
(I
C
= 7.5 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
BE(on)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.3
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 7.5 Adc, I
B
= 0.75 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.8
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 7.5 Adc, I
B
= 0.75 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
BE(sat)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.3
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current Gain − Bandwidth Product
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
f
T
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
1. Pulse Test: Pulse Width
v
300
m
s, Duty Cycle
v
2.0%.
200
150
100
50
0
40
60
120
140
200
Figure 1. Power−Temperature Derating Curve
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
0
20
80
100
160
180
P
D
, POWER DISSIP
ATION (W
ATTS)