Intel 4 2.26 GHz BX80532PE2260D User Manual

Product codes
BX80532PE2260D
Page of 85
Intel
® 
Pentium
®
 4 Processor on 0.13 Micron Process Datasheet
23
Electrical Specifications
2.10
Maximum Ratings
 lists the processor’s maximum environmental stress ratings. The processor should not 
receive a clock while subjected to these conditions. Functional operating parameters are listed in 
the DC tables. Extended exposure to the maximum ratings may affect device reliability. 
Furthermore, although the processor contains protective circuitry to resist damage from Electro 
Static Discharge (ESD), one should always take precautions to avoid high static voltages or electric 
fields.
NOTES:
1. This rating applies to any processor pin.
2. Contact Intel for storage requirements in excess of one year.
2.11
Processor DC Specifications
The processor DC specifications in this section are defined at the processor core silicon unless 
noted otherwise.
 See 
 for the pin signal definitions and signal pin assignments. Most of 
the signals on the processor system bus are in the AGTL+ signal group. The DC specifications for 
these signals are listed in 
.
Previously, legacy signals and Test Access Port (TAP) signals to the processor used low-voltage 
CMOS buffer types. However, these interfaces now follow DC specifications similar to GTL+. The 
DC specifications for these signal groups are listed in 
.
 through 
 list the DC specifications for the Pentium 4 processor on 0.13 micron 
process, and are valid only while meeting specifications for case temperature, clock frequency, and 
input voltages. Care should be taken to read all notes associated with each parameter.
Processors with multiple VID have I
CC
_
MAX
 of the highest VID for the specified frequency. For 
example, for processors through 2.80 GHz, the I
CC
_
MAX
 would be the one at VID=1.525 V.
Table 2-5. Processor DC Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Min
Max Unit
Notes
T
STORAGE
Processor storage temperature
–40
 85
°C
2
V
CC
Any processor supply voltage with respect to V
SS
–0.3
1.75
V
1
V
inAGTL+
AGTL+ buffer DC input voltage with respect to V
SS
–0.1
1.75
V
V
inAsynch_GTL+
Asynch GTL+ buffer DC input voltage with respect 
to V
SS
–0.1
1.75
V
I
VID
Max VID pin current
5
mA