Analog Devices ADP5024 Evaluation Board ADP5024CP-EVALZ ADP5024CP-EVALZ Hoja De Datos

Los códigos de productos
ADP5024CP-EVALZ
Descargar
Página de 28
Data Sheet 
ADP5024 
 
Rev. E | Page 25 of 28 
Switching losses are associated with the current drawn by the 
driver to turn on and turn off the power devices at the switching 
frequency. The amount of switching power loss is given by 
P
SW
 = (C
GATE-P
 + C
GATE-N
) × V
IN1
2
 × f
SW 
(10) 
where: 
C
GATE-P
 is the P-MOSFET gate capacitance. 
C
GATE-N
 is the N-MOSFET gate capacitance. 
For th
, the total of (C
GATE-P
 + C
GATE-N
) is approx-
imately 150 pF. 
The transition losses occur because the P-channel power 
MOSFET cannot be turned on or off instantaneously, and the 
SW node takes some time to slew from near ground to near 
V
OUT1
 (and from V
OUT1
 to ground). The amount of transition 
loss is calculated by 
P
TRAN
 = V
IN1
 × I
OUT1
 × (t
RISE
 + t
FALL
) × f
SW 
(11) 
where t
RISE
 and t
FALL
 are the rise time and the fall time of the 
switching node, SW. For th
, the rise and fall times of 
SW are in the order of 5 ns. 
If the preceding equations and parameters are used for estimating 
the converter efficiency, it must be noted that the equations do 
not describe all of the converter losses, and the parameter values 
given are typical numbers. The converter performance also 
depends on the choice of passive components and board layout; 
therefore, include a sufficient safety margin in the estimate. 
LDO Regulator Power Dissipation 
The power loss of the LDO regulator is given by 
P
DLDO
 = [(V
IN
 − V
OUT
) × I
LOAD
] + (V
IN
 × I
GND
(12) 
where: 
I
LOAD
 is the load current of the LDO regulator. 
V
IN
 and V
OUT
 are input and output voltages of the LDO, 
respectively. 
I
GND
 is the ground current of the LDO regulator. 
Power dissipation due to the ground current is small, and it  
can be ignored.  
JUNCTION TEMPERATURE  
In cases where the board temperature, T
A
, is known, the 
thermal resistance parameter, θ
JA
, can be used to estimate the 
junction temperature rise. T
J
 is calculated from T
A
 and P
D
 using 
the formula  
T
J
 = T
A
 + (P
D
 × θ
JA
(14) 
The typical θ
JA
 value for the 24-lead, 4 mm × 4 mm LFCSP is 
35°C/W (see Table 7). A very important factor to consider is 
that θ
JA
 is based on a 4-layer, 4 in × 3 in, 2.5 oz copper, as per 
JEDEC standard, and real applications may use different sizes 
and layers. To remove heat from the device, it is important to 
maximize the use of copper. Copper exposed to air dissipates 
heat better than copper used in the inner layers. Connect the 
exposed pad to the ground plane with several vias. 
If the case temperature can be measured, the junction temperature 
is calculated by 
T
J
 = T
C
 + (P
D
 × θ
JC
(15) 
where T
C
 is the case temperature and θ
JC
 is the junction-to-case 
thermal resistance provided in Table 7. 
When designing an application for a particular ambient 
temperature range, calculate the expecte
 power 
dissipation (P
D
) due to the losses of all channels by using 
Equation 8 to Equation 13. From this power calculation, the 
junction temperature, T
J
, can be estimated using Equation 14. 
The reliable operation of the converter and the LDO regulator 
can be achieved only if the estimated die junction temperature of 
th
 (see Equation 14) is less than 125°C. Reliability 
and mean time between failures (MTBF) is highly affected by 
increasing the junction temperature. Additional information 
about product reliability can be found from the ADI Reliability 
Handbook, which is available at the following URL: 
. 
The total power dissipation in th
 simplifies to 
P
D
 = P
DBUCK1
 + P
DBUCK2
 + P
DLDO
 
(13)