STMicroelectronics L6227 DMOS Evaluation Board EVAL6227PD EVAL6227PD Hoja De Datos

DocID9453 Rev 2

11/32

32

The L6227 device integrates two independent power MOS full bridges. Each power MOS 
has an R

DS(ON)

 = 0.73 

(typical value at 25 °C), with intrinsic fast freewheeling diode. 

Cross conduction protection is achieved using a deadtime (t

d

 = 1 

s typical) between the 

switch off and switch on of two power MOS in one leg of a bridge.

Using N-channel power MOS for the upper transistors in the bridge requires a gate drive 
voltage above the power supply voltage. The bootstrapped (V

BOOT

) supply is obtained 

through an internal oscillator and few external components to realize a charge pump circuit 
as shown in 

. The oscillator output (VCP) is a square wave at 600 kHz (typical) with 

10 V amplitude. Recommended values/part numbers for the charge pump circuit are shown 
in 

.

         

Pins IN1

A

, IN2

B

, IN1

B

 and IN2

B

 are TTL/CMOS compatible logic inputs. The internal 

structure is shown in 

. Typical value for turn-on and turn-off thresholds are 

respectively V

thon

 = 1.8 V and V

thoff

 = 1.3 V.

Pins EN

A

 and EN

B

 have identical input structure with the exception that the drains of the 

overcurrent and thermal protection MOSFETs (one for the bridge A and one for the 
bridge B) are also connected to these pins. Due to these connections some care needs to 
be taken in driving these pins. The EN

A

 and EN

B

 inputs may be driven in one of two 

configurations as shown in 

 or 

. If driven by an open drain (collector) structure, 

C

BOOT

220 nF

C

P

10 nF

R

P

100 



D1

1N4148

D2

1N4148

'

&

%227

'

5

3

&

3

9

6

96

$

9&3

9%227

96

%

',1