Quectel Wireless Solutions Company Limited 201807EG95NA Manuale Utente

Pagina di 87
LTE  Module  Series 
                                                                                                  EG95  Hardware  Design
 
 
EG95_Hardware_Design                                                                                                                              18 / 81 
 
 
 
 
 
1. 
1)
 PWRKEY output voltage is 0.8V because of the diode drop in the Qualcomm chipset.   
2. 
Keep all RESERVED pins and unused pins unconnected. 
3. 
GND pads should be connected to ground in the design. 
4. 
Please note that the definition of pin 49 and 56 are different between EG95-E and EG95-NA. 
 
3.3. 
Pin Description 
 
The following tables show the pin definition and description of EG95. 
 
Table 3: IO Parameters Definition 
Type 
Description 
IO 
Bidirectional   
DI 
Digital input 
DO 
Digital output 
PI 
Power input 
PO 
Power output 
AI 
Analog input 
AO 
Analog output 
OD 
Open drain 
 
Table 4: Pin Description 
Power Supply   
Pin Name    Pin No. 
I/O  Description   
DC Characteristics    Comment   
VBAT_BB 
32, 33 
PI 
Power supply for 
module’s baseband 
part 
Vmax=4.3V 
Vmin=3.3V 
Vnorm=3.8V 
It must be able to 
provide sufficient 
current up to 0.8A. 
VBAT_RF 
52, 53 
PI 
Power supply for 
module’s RF part 
Vmax=4.3V 
Vmin=3.3V 
Vnorm=3.8V 
It must be able to 
provide sufficient 
current up to 1.8A in a 
NOTES