Mitsubishi Electronics MELSEC FX2N ユーザーズマニュアル

5-8

Parallel resistance Rp: FX

2N

= 15k

Ω

. If resistance Rp is less than the stated value, then add

Rb. See equation 1 for Rb calculation.
Alternatively; Current leakage: FX

2N

= 1.5mA. If the current leakage is greater than the stated

value, then add Rb. See equation 2 for Rb calculation

.

Résistance parallèle Rp: FX

2N

= 15k

Ω

. Une résistance Rb complémentaire doit être mise en

place lorsque Rp est inférieur à ces valeurs (voir équation 1 pour les caculs).
Autre possibilité: courant de fuite autorisé FX

2N

= 1.5 mA. Une résistance de fuite Rb complé-

mentaire doit être mise en place lorsque le courant est supérieur à ces valeurs (voir équation 2
pour les caculs).

Parallelwiderstand Rp: FX

2N

= 15k

Ω

. Wenn Rp kleiner als diese Werte ist, muß ein zusätzli-

cher Wiserstand Rb eingesetzt werden (Berechnung siehe Gleichung 1).
Alternativ: zulässiger LeckstromFX

2N

= 1.5 mA. Wenn diese Werte überschritten wered, muß

ein Ableitwiderstand Rb einesetzt werden (Berechnung siehe Gleichung 2).

Resistenza in parallelo Rp: FX

2N

= 15k

Ω

. Se Rp è minore di questi valori, si deve aggiungere

una resistenza addizionale in parallelo Rb (per il calcolo v.formula 1).
In alternativa; corrente di dispersione consentita: FX

2N

= 1.5 mA. Se si superano questi valori,

si deve inserire una resistenza di fuga Rb (per il calcolo v.formula 2).

Resistencia en paralelo Rp: FX

2N

= 15k

Ω

. Cuando la resistencia Rp es menor que estos

valores, se tiene que incorporar una resistancia Rb abicional (ver la ecuación 1 para el cál-
culo).
Alternativa: Corriente de fuga admisible FX

2N

= 1.5 mA. Cuando se excedan estos valores

tiene que conectarse una resistencia de escape Rb (ver la ecuación 2 para el cálculo).

ENG

FRE

GER

ITL

ESP

0V

S/S

X

24V

Rp

Rb

Epn 1:

4Rp

15 - Rp

Epn 2:

6

- 1.5