Samsung 1GB 400MHz DDR M368L2923DUN-CCC 전단

(Populated as 1 bank of x16 DDR SDRAM Module)

DQ13
DQ14
DQ12
DQ15

LDM

I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3

DQ9
DQ10
DQ8

I/O 4
I/O 5
I/O 6

UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15

DQ3
DQ4
DQ7
DQ5
DQ2
DQ1
DQ6

DQ0

DQ29
DQ26
DQ25
DQ30

DQ28
DQ27
DQ24
DQ31

DQ20
DQ23
DQ16
DQ19
DQ17
DQ22
DQ21
DQ18

DM1

CS

CS

CS

LDQS

DQS1

DM0

DQS0

UDQS

A0 - A12

A0-A12: DDR SDRAMs D0 - D3

BA0 - BA1

BA0-BA1: DDR SDRAMs D0 - D3

RAS

RAS: DDR SDRAMs D0 - D3

CAS

CAS: DDR SDRAMs D0 - D3

CKE0

CKE: DDR SDRAMs D0 - D3

WE

WE: DDR SDRAMs D0 - D3

 Clock Wiring

CK0/CK0

Clock 

Input

DDR SDRAMs

CK1/CK1

NC
2 DDR SDRAMs
2 DDR SDRAMs
 

CK2/CK2

CS0

A0

Serial PD

A1

A2

SA0

SA1

SA2

SCL

SDA

WP

V

SS

D0 - D3

D0 - D3

V

DD

/V

DDQ

D0 - D3

D0 - D3

VREF

V

DDSPD

SPD

Notes:  
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recomended but
    may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be    
    maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 7.5 Ohms 
    + 5% 

DQ11

I/O 7

I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7

I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15

DQ41
DQ42
DQ45
DQ43

I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3

DQ44
DQ46
DQ40

I/O 4
I/O 5
I/O 6

DQ47

I/O 7

I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15

DQ35
DQ36
DQ39
DQ33
DQ38
DQ37
DQ34

DQ32

DQ57
DQ62
DQ56
DQ58
DQ61
DQ63
DQ60
DQ59

I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7

DQ48
DQ51
DQ52
DQ50
DQ49
DQ55
DQ53
DQ54

I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15

CS

LDM

DM5

LDQS

DQS5

UDM

DM0

DQS0

UDQS

LDM

DM3

LDQS

DQS3

UDM

DM0

DQS0

UDQS

LDM

DM3

LDQS

DQS3

UDM

DM0

DQS0

UDQS